[发明专利]一种柔性FBAR滤波器的制造方法

权利要求书

1.一种柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在制备衬底上生长压电薄膜，在压电薄膜上制备底电极并图形化，然后在电极工作区上方沉积牺牲层材料，接着制备绝缘支撑层并图形化，得到晶圆；

（2）在硬质衬底的正面上旋涂临时键合层，将柔性衬底与硬质衬底键合，得到复合衬底；在复合衬底上旋涂胶粘剂，然后与步骤（1）所述晶圆进行键合，将制备衬底去除，露出压电层，在压电层上制备顶电极并图形化，得到顶电极；对压电层进行刻蚀，刻蚀出牺牲层释放孔和底电极上引通道，制备出电极互连金属，接着制备柔性保护层，同时对柔性保护层结构进行图形化，并将谐振器上方、电极上方以及释放通道上方的绝缘保护层刻蚀掉，最后将牺牲层释放，形成上空腔，最后将硬质衬底解键合，得到所述柔性FBAR滤波器。

2.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述制备衬底、步骤（2）所述硬质衬底与柔性衬底均为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底，氮化镓衬底、氮化铝衬底、Al_xGa_1-xN缓冲层衬底、玻璃、塑料、砷化镓、钢、纸、丝绸、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚碳酸酯、涤纶树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇及含氟聚合物中的一种。

3.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述压电薄膜为外延生长的高质量单晶压电薄膜、通过溅射生长的高C轴取向的多晶压电薄膜或具有压电特性的薄膜；所述具有压电特性的薄膜为AlN、ZnO、PZT、LiNbO₃、LiTaO₃中的一种。

4.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述压电薄膜的厚度为0.02μm-10μm。

5.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述牺牲层的材料为氧化硅、掺杂氧化硅、氮化硅、活泼金属、易溶的有机高分子材料中的一种；所述牺牲层的厚度为0.3-2.5微米。

6.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）所述支撑层的材料为SiO₂、AlN、SiN、Si、塑料、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚碳酸酯、涤纶树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇或含氟聚合物中的一种。

7.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（1）中，在压电薄膜上制备电极的方法为溅射或电子束蒸发方法。

8.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（2）所述顶电极和步骤（1）所述底电极的材质为金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬或砷掺杂金中的一种或两种以上的组合，所述顶电极和底电极的厚度为1-500nm。

9.根据权利要求1所述的柔性FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，步骤（2）所述柔性保护层的材料为聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚碳酸酯、涤纶树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇或含氟聚合物中的一种以上；所述柔性保护层的厚度为5-100微米。