[发明专利]一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，其中，所述方法包括：

在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括衬底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；

待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入碘源0.001-5s，吹扫1-180s，

往所述反应腔室内通入所述铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入掺杂源0.001-5s，吹扫1-180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述掺杂源包括氯源、溴源中的一种；

沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述衬底在真空中自然冷却到室温后取出，得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的加热温度范围为室温-500℃；所述管路的加热温度范围为室温-200℃；所述腔室的加热温度范围为室温-200℃。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述反应源的加热温度范围为室温-200℃。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述铜源包括[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)、新癸酸铜、双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜、三氟乙酰丙酮化铜、三甲基膦(六氟乙酰丙酮)铜、乙酰丙酮亚铜中的一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述碘源包括碘单质、碘化氢，氢碘酸中的一种。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述氯源包括氯气，氯化氢中的一种，所述溴源包括溴单质、溴化氢中的一种。

7.如权利要求4所述的方法，其中，所述铜源为[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)时，所述方法包括：通入所述[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)的时间范围为0.8-1.2s，用惰性气体进行吹扫的时间范围为20-60s。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述碘源为碘化氢时，所述方法包括：通入所述碘化氢的时间范围为0.2-0.8s，用惰性气体进行吹扫的时间范围为20-60s。

9.如权利要求6所述的方法，其中，所述氯源为氯化氢时，所述方法包括：通入所述氯化氢的时间范围为0.2-0.8s，用惰性气体吹扫的时间范围为20-60s。

10.如权利要求4所述的方法，其中，所述[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)通过将固态[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)在原子层沉积设备的固态源加热装置中加热至60-100℃获得。