[发明专利]一种Ni/Au复合纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极及其制备方法

权利要求书

1.一种Ni/Au复合纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极的制备方法，该方法包括以下步骤： (1)Ni/Au复合纳米线阵列的制备：

将阳极氧化铝模板进行导电处理；

在阳极氧化铝导电模板内进行Au沉积，然后再进行Ni沉积；

去除沉积了Au和Ni的阳极氧化铝导电模板，得到Ni/Au复合纳米线阵列；

(2)无酶葡萄糖传感器电极的制备：

将步骤(1)得到的Ni/Au复合纳米线阵列一端粘到修饰电极上，进行电位环扫直至循环伏安图稳定，得到无酶葡萄糖传感器电极；

阳极氧化铝导电模板上沉积Au时以Au/阳极氧化铝为阴极、铂片为阳极、氯金酸溶液为电解液进行Au的沉积；沉积Au时的电流为0.08-0.12mA·cm-2，沉积时间为6-10小时；所用氯金酸溶液的浓度为20-28mmol/L；

进行Ni沉积时以Au/阳极氧化铝为阴极，铂片为阳极，硼酸、柠檬酸和硫酸镍复合溶液为电解液进行Ni的沉积； Ni沉积时的电流为0.08-0.12mA·cm-2，沉积时间为6-10小时；Ni沉积电解液中硼酸的浓度为20g/L，柠檬酸的浓度为0.8g/L，硫酸镍的浓度为80g/L。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射Au层的方法对阳极氧化铝模板进行所述导电处理，包括：在阳极氧化铝模板上利用磁控溅射的方法溅射一层金层作为导电层；所述金层的厚度为100-200nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除沉积了Au和Ni的阳极氧化铝导电模板的操作，包括：将沉积了Au和Ni的阳极氧化铝导电模板置于浓度为0.8-1.2mol/L的氢氧化钠溶液中浸泡10-14小时。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电位环扫时的电压范围为-0.8～0.8V。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电位环扫时的扫速为50mV/s。

6.权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到的Ni/Au复合纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极。

7.根据权利要求6所述的电极，其特征在于，该电极包括Ni/Au复合纳米线阵列，所述的Ni/Au复合纳米线阵列为实心圆柱体型，实心圆柱体型包括上层Ni层以及下层Au层；该电极还包括Au层一端粘附的修饰电极。

8.根据权利要求6所述的电极，其特征在于，所述Ni/Au复合纳米线阵列直径为10-200nm，长度在20μm以下。