[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

承载衬底；

支撑层，键合于所述承载衬底上，所述支撑层围成第一空腔，所述第一空腔暴露出所述承载衬底；

压电叠层结构，位于所述支撑层上方，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构从下至上包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极，其中位于所述第一空腔上方的所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上相互重叠的区域构成谐振器的有效谐振区；

有效谐振区边界处设置有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起位于所述第一电极所在侧，所述第二凸起位于所述第二电极所在侧，所述第一凸起和/或所述第二凸起在所述压电层所在平面上的投影包括环形，所述环形包括开环或闭环。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起在所述压电层所在平面上的投影至少部分重合，或者其中之一的投影环绕于另一投影的外周。

3.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一凸起或所述第二凸起的材料包括介质材料或导电材料。

4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极包括所述第一凸起；和/或，所述第二电极包括所述第二凸起。

5.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括第一沟槽，位于所述第一空腔内部，贯穿所述第一电极，环绕于所述第一凸起所在区域的外周。

6.如权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括第二沟槽，在横向方向上与所述第一沟槽相对设置，贯穿所述第二电极，环绕于所述第二凸起所在区域的外周；

所述第一沟槽与所述第二沟槽在所述承载衬底的投影的两个交界处相接或设有间隙。

7.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一沟槽的内边缘与所述第一凸起的外边界重合；和/或，所述第二沟槽的内边缘与所述第二凸起的外边界重合。

8.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括：

接合层，设置于所述压电叠层结构上方、所述接合层围成第二空腔，所述第二空腔暴露出所述压电叠层结构的表面，所述第二空腔位于所述第一空腔上方，所述第一沟槽和所述第二沟槽位于所述第二空腔围成的区域内部；

封盖基板，设置于所述接合层上，并覆盖所述第二空腔。

9.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或硅酸乙酯。

10.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括键合层，设置于所述支撑层与所述承载衬底之间。

11.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供临时衬底；

在所述临时衬底上形成压电叠层结构及第一凸起，所述压电叠层结构包括依次形成在所述临时衬底上的第二电极、压电层、第一电极，所述第一凸起位于所述第一电极所在侧；

形成支撑层，覆盖所述压电叠层结构；

图形化所述支撑层，形成第一空腔，所述第一空腔贯穿所述支撑层，所述第一凸起位于所述第一空腔围成的区域内；

在所述支撑层上键合承载衬底，所述承载衬底覆盖所述第一空腔；

去除所述临时衬底；

在所述第二电极上形成第二凸起，所述第一凸起和/或所述第二凸起在所述压电层所在平面上的投影包括环形，所述环形包括开环或闭环。

12.如权利要求11所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起在所述压电层所在平面上的投影至少部分重合，或者其中之一的投影环绕于另一投影的外周。