[发明专利]电阻式随机存取存储器及其重置方法

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括至少一存储单元，所述至少一存储单元包括：

数据存储层，配置在上电极与下电极之间；

氧吸附层，配置在所述数据存储层与所述上电极之间；

第一阻障层，配置在所述氧吸附层与所述数据存储层之间；以及

氧供应层，配置在所述氧吸附层与所述上电极之间以和/或配置在所述氧吸附层与所述第一阻障层之间。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中所述氧供应层的氧含量沿着靠近所述氧吸附层至远离所述氧吸附层的方向减少。

3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，还包括第二阻障层配置在所述氧吸附层与所述上电极之间。

4.根据权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中所述氧供应层包括：

第一区，直接接触所述氧吸附层；

第二区，直接接触所述第二阻障层；以及

第三区，位于所述第一区与所述第二区之间，且所述第一区的氧含量大于所述第二区的氧含量。

5.根据权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中所述氧供应层包括第一氧供应层与第二氧供应层，所述第一氧供应层配置在所述氧吸附层与所述第一阻障层之间，所述第二氧供应层配置在所述氧吸附层与所述第二阻障层之间，且所述氧吸附层配置在所述第一氧供应层与所述第二氧供应层之间。

6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中所述氧供应层包括：

第一区，直接接触所述氧吸附层；

第二区，直接接触所述第一阻障层；以及

第三区，位于所述第一区与所述第二区之间，且所述第一区的氧含量大于所述第二区的氧含量。

7.一种电阻式随机存取存储器的重置方法，其特征在于，包括：

对至少一电阻式存储单元进行重置循环，包括：

对所述至少一电阻式存储单元进行第一重置操作，并在所述第一重置操作完成后对所述至少一电阻式存储单元进行第一验证操作；

依据所述第一验证操作的验证结果来决定是否对所述至少一电阻式存储单元进行第二重置操作，并在决定进行且完成所述第二重置操作后对所述至少一电阻式存储单元进行第二验证操作；以及

依据所述第二验证操作的验证结果来决定是否对所述至少一电阻式存储单元进行复原重置操作，其包括：当所述第二验证操作的验证电流大于预设值电流，对所述至少一电阻式存储单元进行所述复原重置操作，

其中所述复原重置操作的重置电压大于所述第二重置操作的重置电压。

8.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的重置方法，其中在决定进行并完成所述复原重置操作后结束所述重置循环。

9.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的重置方法，其中对所述至少一电阻式存储单元进行所述第一验证操作的步骤包括：

提供验证电压跨接在所述至少一电阻式存储单元的两端，并测量所述至少一电阻式存储单元依据所述验证电压所产生的验证电流；以及

判断所述第一验证操作的所述验证电流是否大于所述预设值电流以产生所述第一验证操作的所述验证结果，其中所述第一验证操作的所述验证电压小于所述第一重置操作的重置电压。

10.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的重置方法，其中所述第二重置操作的所述重置电压大于或等于所述第一重置操作的重置电压。

11.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的重置方法，其中所述第二重置操作的重置时间大于或等于所述第一重置操作的重置时间，且所述复原重置操作的重置时间大于所述第二重置操作的重置时间。

12.根据权利要求7所述的电阻式随机存取存储器的重置方法，在对所述至少一电阻式存储单元进行所述复原重置操作之前，还包括对电阻式随机存取存储器进行多次第三重置操作，并在决定进行且完成每一次的第三重置操作后对所述至少一电阻式存储单元进行第三验证操作。