[发明专利]封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010428034.6 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111415927A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 倪寿杰;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/13;H01L23/36;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张艳清 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一基板(6)，其上设有至少一个第一芯片(8)和第一器件(9)，且所述第一芯片(8)的高度大于所述第一器件(9)的高度；
第二基板(7)，电连接于所述第一基板(6)的上方，所述第二基板(7)上设有开口，且所述第二基板(7)靠近所述第一器件(9)的表面上设有第二器件(10)；
散热装置，设于所述开口处。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述开口正对所述第一芯片(8)设置。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(8)的面积、所述散热装置的面积、所述开口的面积依次增大。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热装置通过散热胶设于所述第一芯片(8)远离所述第一基板(6)的表面上。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述散热装置为单片式散热盖(5)。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(8)为倒装芯片，所述第一器件(9)包括被动元件；
和/或，
所述第二器件(10)包括第二芯片(11)和/或被动元件。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一基板(6)和所述第二基板(7)通过至少两个第一电连接装置电连接；
和/或，
所述第一基板(6)和所述第二基板(7)的其中之一远离其中之另一的表面上设有至少一个第二电连接装置。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接装置和/或所述第二电连接装置为锡球(4)。
9.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
对第一基板(6)表面贴装；
对第二基板(7)表面贴装；
翻转第二基板(7)，使所述第二基板(7)的贴装面与所述第一基板(6)的贴装面相对设置，并电连接在一起；
在第二基板(7)的开口处进行散热装置的贴装工艺。
10.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，在所述“在第二基板(7)的开口处进行散热装置的贴装工艺”之后还包括：
对第一基板(6)背离所述第二基板(7)的表面进行植球工艺。
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