[发明专利]一种引线框架的蚀刻方法

说明书

本发明公开了一种引线框架的蚀刻方法，属于半导体集成电路领域。包括如下步骤:选取铜带基板；通过压膜机将干膜粘附在铜带表面，在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上；使干膜发生光聚合反应，将要制作的引线框架图形转移到干膜上；将没有发生光聚合反应的干膜去掉；将蚀刻液喷淋到铜带表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。本发明可以保证引线框架高精度的要求，可实现蚀刻液再生，有效解决环保问题，便于推广使用。

技术领域

本发明属于半导体集成电路领域，具体为一种引线框架的蚀刻方法。

背景技术

引线框架作为一种半导体集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料，在电子产品中有广泛的应用，引线框架采用冲压或者蚀刻成型，目前引线框架传统制造多采用三氯化铁蚀刻液腐蚀成型。在制造引线框架的过程中会产生大量三氯化铁废液，废液的处理复杂而且成本很高。随着电子行业飞速发展，在目前引线框架精度要求高且国家对环保的高度重视的情况下，寻求高效环保的新型引线框架蚀刻液已成为整个引线框架制造业共同面临的问题。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种可以保证引线框架高精度的要求，可实现蚀刻液再生，有效解决环保问题的引线框架的蚀刻方法。

本发明采用的技术方案如下：

一种引线框架的蚀刻方法，其特征在于包括如下步骤:

步骤一：选材，选取铜带基板，进行表面除尘；

步骤二：压膜，通过压膜机将干膜粘附在铜带表面，再在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上；

步骤三：曝光，使干膜发生光聚合反应，将要制作的引线框架图形转移到干膜上；

步骤四：显影，将没有发生光聚合反应的干膜去掉；

步骤五：蚀刻，将蚀刻液喷淋到铜带表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。

所述步骤五中的蚀刻液为酸性氯化铜蚀刻液。

所述步骤二中的压膜是通过先将铜带基板浸湿再用压膜机将干膜压到铜带基板上的干膜湿压的方法压膜。

所述步骤二中的压膜是通过压膜机将干膜在加热加压下粘附到铜带表面上。

所述步骤一中选取铜带的厚度为0.05-0.25mm。

所述步骤二中的干膜是由聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜、聚乙烯保护膜三部分组成的感光材料。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：

1、本发明通过曝光显影工序、将产品的图形转移到金属铜板上，将要蚀刻区域的保护，不要的区域除去保护膜裸露出金属部分，再用氯化铜蚀刻液液腐蚀，形成凹凸半刻或者镂空成型的引线框架，氯化铜蚀刻液具有侧蚀小、易控制、可再生等特点，所以采用氯化铜蚀刻液既能满足高精度、细线位引线框架生产的要求，又能兼顾环保问题。在今后蚀刻引线框架领域，氯化铜蚀刻液必将成为趋势。氯化铜蚀刻液蚀刻引线框架可满足公差为+/-0.025mm产品批量生产。

2、本发明中在压膜时侵水的铜面，可加速与干膜反应，将铜面的气体赶着使干膜软化粘性加强，使铜面和干膜更好的贴合，实现了高精密、低线距产品的正常生产。和普通的压膜方法相比，由干膜粘附不牢靠造成的不良品比例有原来的6％降低到2％，效果明显。

综上，本发明可以保证引线框架高精度的要求，可实现蚀刻液再生，有效解决环保问题。

附图说明