[发明专利]一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法在审
申请号: | 202010426622.6 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN111584402A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 陈国辉 | 申请(专利权)人: | 陈国辉 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 半导体器件 制造 装置 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法,属于半导体制作领域,一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法,本方案通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解,并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内,使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内,去除硅片表面的重金属元素,并使得外放置框在重金属去除箱内旋转,使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞,并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀,促进硅片弹出,使得硅片表面的重金属被去除的更加充分,并通过收集框将弹出的硅片收集,并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收,提高硅片表面的纯净度。
技术领域
本发明涉及半导体制作领域,更具体地说,涉及一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法。
背景技术
半导体器件通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波,三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管),晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类,根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管,除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。
硅片制成的芯片是有名的“神算子”,有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题,也无论计算的工作量有多大,工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它,并下达解题的思路和指令,计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样,那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题,计算机可能只需要几分钟就可以解决。
目前大多数的半导体器件通常是以晶体硅为原材料,并通过对硅片进行后续的加工处理,从而获得半导体器件,在硅片的制造工序中,从硅锭切成硅片时,要接触到刀刃或者线锯,重金属会向硅片内部扩散,由于硅片的两面与研磨液、研磨垫长时间接触、加压和研磨,容易受到来自这些材料的杂质元素的污染,之后会向硅片内部扩散。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法,通过重金属去除箱内部的加热装置使得收集框内的碳酸氢钙分解,并借助气泵将二氧化碳气体抽入至溶液箱内,从而使得焦性没食子酸蒸汽通过第二导管回流到重金属去除箱内,去除硅片表面的重金属元素,通过气体的流动使得外放置框在重金属去除箱内旋转,使得外延板与外搅拌球囊反复碰撞,并通过摩擦产热可以进一步的促进柱形气囊的膨胀,促进硅片弹出,使得硅片表面的重金属被去除的更加充分,并通过收集框将弹出的硅片收集,并通过收集框内的碳酸钙粉末将硅片表面的水分吸收,提高硅片表面的纯净度。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造