[发明专利]一种焦炉用高导热、高致密硅砖及其制备方法在审
| 申请号: | 202010425672.2 | 申请日: | 2020-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN111574232A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 武本有;郝良军;韩八斤;秦迎军 | 申请(专利权)人: | 山西盂县西小坪耐火材料有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/622 |
| 代理公司: | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人: | 杨凯;连慧敏 |
| 地址: | 045100 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 焦炉 导热 致密 硅砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:包括以下重量份原料:硅石粗粉25-35份、硅石中粉41-47份、细粉10-20份、残硅砖10-20份、矿化剂1.0-1.5份、石灰乳7.5-8.5份。
2.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述硅石SiO2含量不低97.5%;Al2O3≤0.8%,Fe2O3≤0.8%,CaO≤0.7%。
3.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述细粉由50%的胶结硅石和50%的残硅砖构成。
4.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述矿化物由1/3锰粉、1/3钾长石和1/3三氧化二铁构成。
5.根据权利要求1所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖,其特征在于:所述硅石粗粉中硅石粒径范围在3-1mm之间的占64-74%,粒径范围在1-0.088mm之间的占24-34%;余量颗粒粒径范围0.088mm;所述硅石中粉中硅石粒径范围在1-3mm之间的占1-2%,粒径范围在1-0.088mm之间的占64-74%,余量颗粒粒径范围0.088mm;所述细粉中粒径范围在1-0.088mm之间的占5-15%,粒径范围0.088mm颗粒占85-95%;所述残硅砖中粒径范围在1-3mm之间的占1-2%,粒径范围在1-0.088mm之间的占64-74%,余量颗粒粒径范围0.088mm。
6.一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、取纸浆液过筛,-22目浆料为浆料A,+22目为浆料B;
S2、将重量份为25-35份的硅石粗粉、41-47份的硅石中粉、10-20份的细粉、10-20份的残硅砖、1.0-1.5份的矿化物混合获得初粉;
S3、称取重量份为0.9-1.1的浆料A,在浆料A加水稀释至纸浆浓度1.18-1.20g/cm制得稀释液,将稀释液与重量份为7.5-8.5的石灰乳加入到S2中初粉中,混捏制得泥料;
S4、将S3中泥料用400t以上的压机进行压制成型制的坯制品;
S5、将S4中坯制品置于焙烧炉在700-800℃一次焙烧;
S6、将浆料B细化至150-200目,加水分散;
S7、将S5中经一次焙烧的坯制品浸于S6中分散浆料B中;
S8、将坯制品在70-100℃的温度下干燥至残余水分不超过0.8%;
S9、重复S8-S9操作3-5次;
S10、将坯制品装入窑炉在1410℃-1460℃,保温时间30-36小时条件下烧结为成品,冷却至常温即可制得硅砖。
7.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述纸浆液比重为1.18-1.20g/cm3,pH为4-5;所述石灰乳比重为1.24-1.28g/cm3;所述矿化剂粒径小于0.088mm。
8.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S2中混捏温度为150℃-250℃,混捏时间为0.5-1h,混捏后自然冷却至常温。
9.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S3中混捏温度为160℃-220℃,混捏时间为1.5-3h,混捏后自然冷却至常温。
10.根据权利要求6所述的一种焦炉用高导热、高致密硅砖的制备方法,其特征在于:所述S4中成型后保压10-20min。
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