[发明专利]超宽带高精度差分衰减器有效
| 申请号： | 202010424286.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111404511B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 尤肖虎;赵涤燹;顾鹏;张成军 | 申请（专利权）人： | 成都天锐星通科技有限公司;东南大学 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24;H03H17/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 梁晓婷 |
| 地址： | 610041 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 高精度 衰减器 | ||
1.一种超宽带高精度差分衰减器，其特征在于包括依次连接的第一差分8dB衰减单元、差分0.5dB衰减单元、差分4dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元、差分2dB衰减单元、差分1dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元，所述的各差分衰减单元均由上下两个单端半电路以中心轴H对称构成；
所述第一差分8dB衰减单元(100、110)、第二差分8dB衰减单元(400、410)和第三差分8dB衰减单元(700、710)的器件尺寸相同；
所述第一差分8dB衰减单元(100、110)和第三差分8dB衰减单元(700、710)使用相同的控制信号。
2.根据权利要求1所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分0.5dB衰减单元和差分1dB衰减单元采用差分简化式T型结构，差分2dB衰减单元和差分4dB衰减单元采用差分电容补偿式T型结构，第一差分8dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元采用差分电容补偿式Π型结构。
3.根据权利要求1所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述第一差分8dB衰减单元、差分0.5dB衰减单元、差分4dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元、差分2dB衰减单元、差分1dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元包括上侧衰减单元(100、200、300、400、500、600、700)和下侧衰减单元(110、210、310、410、510、610、710)。
4.根据权利要求2所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分简化式T型结构由两个相同的单端简化式T型结构构成，其单端半电路(200、600)由第一晶体管(201、601)和第一电阻(202、602)组成，其中：第一晶体管(201、601)的栅极接数字控制电压，漏极接第一电阻(202、602)的一端，源极与另一单端半电路(210、610)相接；第一电阻(202、602)的另一端连接于信号通路上。
5.根据权利要求2所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分电容补偿式T型结构由两个相同的单端电容补偿式T型结构构成，其单端半电路(300、500)由第二晶体管(301、501)、第二电阻(303、503)、第一电容(302、502)、第三电阻(304、504)、第四电阻(305、505)及第三晶体管(306、506)组成，其中：第二电阻(303、503)和第一电容(302、502)并联，第二晶体管(301、501)的栅极接数字控制电压，漏极接第二电阻(303、503)和第一电容(302、502)的一个公共端，源极与另一单端半电路(310、510)相接；第二电阻(303、503)和第一电容(302、502)的另一个公共端分别接第三电阻(304、504)的一端和第四电阻(305、505)的一端，第三电阻(304、504)的另一端和第四电阻(305、505)的另一端分别连接于信号通路上；第三晶体管(306、506)的栅极接数字控制电压，漏极和源极分别连接于信号通路上。
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