[发明专利]像素电极、像素结构、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202010423750.5 | 申请日: | 2020-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN111505870B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 郭远辉;张维;石侠;高玉杰;胡杨 | 申请(专利权)人: | 武汉京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 430040 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电极 结构 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种像素电极,其特征在于,所述像素电极包括:
第一电极,所述第一电极为条状电极;
多个第二电极,每个所述第二电极均为条状电极,每个所述第二电极均与所述第一电极连接,且所述多个第二电极沿所述第一电极的延伸方向排布;
其中,所述第一电极的长度大于任一所述第二电极的长度,且所述第一电极的宽度大于任一所述第二电极的宽度;
所述第一电极包括:第一子电极,第二子电极,以及第三子电极;
所述第一子电极的一端与所述第二子电极的一端连接,所述第二子电极的另一端与所述第三子电极的一端连接;
其中,所述第二子电极的延伸方向分别与所述第一子电极的延伸方向和所述第三子电极的延伸方向相交,且所述第一子电极和所述第三子电极位于所述第二子电极的不同侧,所述第一子电极的延伸方向与所述第三子电极的延伸方向之间的夹角位于夹角阈值范围内,所述夹角阈值范围为0度至10度;
所述多个第二电极包括:多个第一类第二电极和多个第二类第二电极;
每个所述第一类第二电极的一端与所述第一子电极连接;
每个所述第二类第二电极的一端与所述第三子电极连接;
每个所述第一类第二电极沿第一方向延伸,每个所述第二类第二电极沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第二子电极的延伸方向平行,且所述第一方向与所述第二方向平行。
2.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述第一子电极的延伸方向与所述第三子电极的延伸方向平行。
3.根据权利要求2所述的像素电极,其特征在于,所述第二子电极与所述第一子电极的第一夹角,等于所述第二子电极与所述第三子电极的第二夹角。
4.根据权利要求2所述的像素电极,其特征在于,所述第二子电极与所述第一子电极的第一夹角,以及所述第二子电极与所述第三子电极的第二夹角均大于或等于90度。
5.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述第一方向以及所述第二方向与栅线之间的夹角的范围均为7度至20度。
6.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述多个第二电极还包括:多个第三类第二电极;
每个所述第三类第二电极的一端与所述第二子电极连接。
7.根据权利要求6所述的像素电极,其特征在于,所述多个第三类第二电极位于所述第二子电极靠近所述第一子电极的一侧,所述第二子电极的延伸方向与所述第一方向相交,每个所述第三类第二电极沿第三方向延伸,所述第三方向与所述第一方向平行;
或者,所述多个第三类第二电极位于所述第二子电极靠近所述第三子电极的一侧,所述第二子电极的延伸方向与所述第二方向相交,每个所述第三类第二电极沿第三方向延伸,所述第三方向与所述第二方向平行。
8.根据权利要求1至7任一所述的像素电极,其特征在于,所述第一电极的宽度大于或等于2.3微米且小于或等于3微米,每个所述第二电极的宽度大于或等于1.3微米且小于或等于2.2微米。
9.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括:公共电极,液晶层,以及如权利要求1至8任一所述的像素电极;
所述公共电极和所述像素电极用于驱动所述液晶层中的液晶偏转。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极和所述像素电极位于所述液晶层的同一侧;
所述像素电极位于所述公共电极和所述液晶层之间,或者,所述公共电极位于所述像素电极和所述液晶层之间。
11.根据权利要求9或10所述的像素结构,其特征在于,所述液晶层中的液晶为负性液晶。
12.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的多个如权利要求9至11任一所述的像素结构。
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