[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有有源区的基底；

形成在所述有源区上的位线结构；

以及形成在所述基底上的侧墙结构，所述侧墙结构环绕在所述位线结构的侧壁，所述侧墙结构包括空气侧墙、以及围成所述空气侧墙的介质侧墙，所述介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述透气性材料为多孔绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述空气侧墙的顶部高度小于所述位线结构的顶部高度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线结构包括位线、以及形成在所述位线上的隔离层；所述空气侧墙的顶部高度大于或等于所述位线的顶部高度、且小于所述隔离层的顶部高度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述介质侧墙包括第一介质侧墙、第二介质侧墙和第三介质侧墙，所述第一介质侧墙和所述第二介质侧墙均形成在所述基底上；

所述第一介质侧墙环绕在所述位线结构的侧壁，所述第二介质侧墙环绕所述第一介质侧墙，所述第三介质侧墙形成在所述第一介质侧墙和所述第二介质侧墙之间；

所述第一介质侧墙、所述第二介质侧墙以及所述第三介质侧墙围成所述空气侧墙；所述第三介质侧墙的顶部高度大于或等于所述位线的顶部高度、且小于所述隔离层的顶部高度。

6.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括形成所述基底上的存储接触部和着陆焊盘，每个所述存储接触部与相应所述有源区电连接，所述着陆焊盘形成在所述存储接触部上，沿所述着陆焊盘的高度方向，所述着陆焊盘的宽度变化量小于或等于预设阈值。

7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底具有有源区；

在所述有源区上形成位线结构；

以及在所述基底上形成侧墙结构，所述侧墙结构环绕在所述位线结构的侧壁，所述侧墙结构包括空气侧墙、以及围成所述空气侧墙的介质侧墙，所述介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成侧墙结构包括：

在所述基底上形成环绕在所述位线结构侧壁的牺牲层；

在所述基底上形成环绕在所述牺牲层外周的所述介质侧墙；

采用干法刻蚀方式去除所述牺牲层，获得所述空气侧墙。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀方式包括灰化处理方式。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述空气侧墙的高度小于所述位线结构的顶部高度。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述位线结构包括位线、以及形成在所述位线上的隔离层；所述空气侧墙的顶部高度大于或等于所述位线的顶部高度、且小于所述隔离层的顶部高度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质侧墙包括第一介质侧墙、第二介质侧墙和第三介质侧墙，所述第一介质侧墙和所述第二介质侧墙均形成在所述基底上；

所述第一介质侧墙环绕在所述位线结构的侧壁，所述第二介质侧墙环绕所述第一介质侧墙，所述第三介质侧墙形成在所述第一介质侧墙和所述第二介质侧墙之间；

所述第一介质侧墙、所述第二介质侧墙以及所述第三介质侧墙围成所述空气侧墙；所述第三介质侧墙的顶部高度大于或等于所述位线的顶部高度，小于所述隔离层的顶部高度。