[发明专利]一种横向MIM格点阵等离激元吸收器有效
| 申请号: | 202010416222.7 | 申请日: | 2020-05-17 | 
| 公开(公告)号: | CN111552014B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 | 
| 发明(设计)人: | 肖功利;杨文琛;薛淑文;杨宏艳;杨寓婷;张开富;李海鸥 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 | 
| 主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 横向 mim 点阵 离激元 吸收 | ||
1.一种横向MIM格点阵等离激元吸收器,由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成,金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块为一组,相对于介质基底垂直地竖立在其上表面,相对的两个金长方体块的中间夹有一层介质,每组金属纳米颗粒在基底上表面沿着相互垂直的水平X轴和Y轴成周期分布构成金属纳米颗粒阵列,入射光为平面波,光源在整个结构的正上方且斜入射到介质基底上平面,入射光波为磁场方向平行于介质基底上平面的TM波,透射光从金属纳米颗粒阵列下方射出,反射光从金属纳米颗粒阵列上方射出,整个结构工作在真空或空气介质环境中;每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成,两个相对的金长方体几何尺寸完全相同;垂直竖立在介质基底上表面的每组金属纳米颗粒沿着金长方体块长方向上的排列周期D介于300nm~700nm之间,沿着金长方体块宽度方向上的排列周期T介于300nm~700nm之间;每组金属纳米颗粒中金长方体块的高度h介于150nm~300nm之间,宽度W介于20nm~100nm之间,长度a介于100nm~300nm之间,两个相对金长方体块的间距m介于20nm~150nm之间。
2.根据权利要求1所述的一种横向MIM格点阵等离激元吸收器,其特征在于:入射光为TM平面光波,入射光的磁场方向平行于每组金属纳米颗粒中两个金长方体块的宽度方向,入射平面光波在YZ平面内的波矢k与Z轴的夹角θ介于1°~60°之间。
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