[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始衬底，所述初始衬底包括若干第一无效区，以及包围若干所述第一无效区的第一有效区；

在所述第一有效区内形成初始应力层，所述初始应力层的材料与所述初始衬底的材料不同；

刻蚀所述第一有效区和第一无效区的初始衬底以及初始应力层，以形成衬底、位于第一有效区的衬底上的若干第一鳍部结构、以及位于第一无效区的衬底上的若干第一隔离鳍结构，若干所述第一鳍部结构之间相互分立，每个所述第一鳍部结构包括应力层，在所述第一鳍部结构的延伸方向上，所述第一隔离鳍结构与所述第一鳍部结构相连，并且，所述应力层的材料与所述第一隔离鳍结构的材料不同。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部结构还包括第一鳍部层，并且，所述应力层位于所述第一鳍部层表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料包括硅锗、锗、砷化镓或者Ⅲ-Ⅴ族元素构成的多元半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始应力层的方法包括：在所述第一有效区的初始衬底内形成第一开口；在所述第一开口内以及所述初始衬底表面形成应力材料层；平坦化所述应力材料层，直至暴露出第一无效区的初始衬底表面。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的方法包括：在所述初始衬底表面形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构暴露出所述第一有效区的初始衬底表面；以所述第一掩膜结构为掩膜刻蚀所述初始衬底，直至形成所述第一开口。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底、第一鳍部结构和第一隔离鳍结构的方法包括：在所述第一有效区的初始应力层表面以及第一无效区的初始衬底表面，形成若干相互分立的第二掩膜结构，并且，至少1个第二掩膜结构横跨所述第一无效区；以所述若干第二掩膜结构为掩膜，刻蚀所述初始应变层和第一无效区的初始衬底，以形成所述衬底、第一鳍部结构和第一隔离鳍结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始衬底还包括第二有效区，并且，所述若干第二掩膜结构还位于所述第二有效区的初始衬底表面；所述半导体结构的形成方法还包括：在以所述若干第二掩膜结构为掩膜，刻蚀所述初始应变层和第一无效区的初始衬底的同时，以所述第二掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第二有效区的初始衬底，以在所述第二有效区内形成所述衬底，以及位于所述衬底上的若干相互分立的初始第二鳍部结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始衬底还包括若干第二无效区，所述第二有效区包围所述若干第二无效区，至少1个所述初始第二鳍部结构横跨所述第二无效区；所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述若干初始第二鳍部结构后，去除所述第二无效区的初始第二鳍部结构，以形成若干第二鳍部结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除第二无效区的初始第二鳍部结构的方法包括：在所述第一鳍部结构表面、所述初始第二鳍部结构表面、所述第一隔离鳍结构表面以及所述衬底表面形成第三掩膜层；在所述第三掩膜层表面形成第四掩膜结构，所述第四掩膜结构暴露出所述第二无效区的第三掩膜层表面；以所述第四掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第三掩膜层以及初始第二鳍部结构，直至去除所述第二无效区内的初始第二鳍部结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一鳍部结构和所述第一隔离鳍结构后，去除所述第一隔离鳍结构；去除所述第一隔离鳍结构的方法包括：所述第四掩膜结构还暴露出所述第一无效区的第三掩膜层表面；以所述第四掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第三掩膜层以及初始第二鳍部结构的同时，刻蚀所述第一隔离鳍结构，直至去除所述第一隔离鳍结构。