[发明专利]阵列基板和其制作方法，显示面板

说明书

一种阵列基板和其制作方法，以及一种显示面板，所述阵列基板包括与软性电路板相连接的侧面绑定结构，所述软性电路板包括驱动晶片，所述侧面绑定结构与所述驱动晶片通过所述软性电路板电性连接。所述侧面绑定结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括衬底、多层非金属膜层和多层金属膜层，所述第二区域包括所述衬底和所述多层金属膜层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及于一种阵列基板和其制作方法，以及一种显示面板。

背景技术

随着液晶显示屏(liquid crystal display,LCD)技术的不断发展，消费者对于轻薄化电子产品的屏占比要求越来越高，全面屏已成为移动终端发展的主流。因此，人们开发了各种微型组件技术，例如：覆晶玻璃(chip on glass,COG)技术和覆晶薄膜(chip onfilm,COF)技术。具体地，COG技术是将驱动晶片绑定在薄膜电晶体阵列基板(TFT arraysubstrate)的玻璃底板之上，而COF技术是将驱动晶片绑定在软性板上，再将软性版与薄膜电晶体阵列基板(TFT array substrate)的玻璃基板连接。然而，无论是COG技术或COF技术均无法满足全面屏的需求，促使了侧面绑定技术的诞生。

传统侧面绑定技术受限于薄膜电晶体阵列基板(TFT array substrate)侧面金属面积(通常仅有栅极层与软性版连接)，使得导电离子个数较少，器件的导通性较差。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板和其制作方法，以及一种显示面板，通过掩模板对薄膜电晶体阵列基板(TFT array substrate)的侧面膜层进行优化，大幅度提升了绑定区域的导通面积。

本申请提供一种阵列基板，包括与软性电路板相连接的侧面绑定结构，所述软性电路板包括驱动晶片，所述侧面绑定结构与所述驱动晶片通过所述软性电路板电性连接；

其中，所述侧面绑定结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括衬底、多层非金属膜层和多层金属膜层，所述第二区域包括所述衬底和所述多层金属膜层。

根据本发明的一个实施例，所述第一区域内之所述多层金属膜层与所述第二区域内之所述多层金属膜层为连续的结构。

根据本发明的一个实施例，所述第一区域从下至上包括：所述衬底、复合层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、第一金属层、平坦层、第一氧化铟锡层、层间绝缘层、第二金属层、钝化层以及第二氧化铟锡层。

根据本发明的一个实施例，所述第二区域从下至上包括：所述衬底、栅极层、第一金属层、第一氧化铟锡层、第二金属层以及第二氧化铟锡层。

根据本发明的一个实施例，所述侧面绑定结构与所述软性电路板通过焊接的方式相连接。

进一步地，本申请还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上沉积复合层，在所述复合层之上沉积栅极绝缘层；

使用掩模板将第二区域内之所述复合层和所述栅极绝缘层刻蚀；

在第一区域内之所述栅极绝缘层之上和所述第二区域内之所述衬底之上沉积栅极层；

在所述栅极层之上沉积层间介电层，使用掩模板将所述第二区域内之所述层间介电层刻蚀；

在所述第一区域内之所述层间介电层之上和所述第二区域内之所述栅极层之上沉积第一金属层；

在所述第一金属层之上沉积平坦层，使用掩模板将所述第二区域内之所述平坦层刻蚀；

在所述第一区域内之所述平坦层之上和所述第二区域内之所述第一金属层之上沉积第一氧化铟锡层；