[发明专利]用于校准存储器单元数据状态的感测的设备及方法

说明书

本申请案涉及用于校准存储器单元数据状态的感测的设备及方法。操作存储器的方法以及经配置以执行类似方法的设备包含：在将第一电压电平电容性耦合到第一感测节点的同时且在将第二电压电平电容性耦合到第二感测节点的同时确定第一感测节点及第二感测节点的第一状态；在将第三电压电平电容性耦合到第一感测节点的同时且在将第四电压电平电容性耦合到第二感测节点的同时确定第一感测节点及第二感测节点的第二状态；至少响应于第一感测节点及第二感测节点的第一状态以及第一感测节点及第二感测节点的第二状态而确定第五电压电平；及在将第五电压电平电容性耦合到第一感测节点及第二感测节点的同时确定第一感测节点及第二感测节点的第三状态。

技术领域

本发明一般来说涉及存储器，且特定来说，在一或多个实施例中，本发明涉及用于校准存储器单元数据状态的感测的设备及方法。

背景技术

存储器(例如，存储器装置)通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器装置已开发成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，所述存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含：个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、交通工具、无线装置、移动电话及可装卸式存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩大。

NAND快闪存储器是常见类型的快闪存储器装置，所述NAND快闪存储器是针对基本存储器单元配置所布置成的逻辑形式而如此命名的。通常，NAND快闪存储器的存储器单元阵列经布置使得所述阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线，例如字线。所述阵列的列包含在一对选择栅极(例如，源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元的串(通常称作NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。在存储器单元的串与源极之间及/或存储器单元的串与数据线之间使用多于一个选择栅极的变化形式为已知的。

在对存储器进行编程时，可将存储器单元编程为通常称作单电平单元(SLC)的单元。SLC可使用单个存储器单元来表示一个数据数字(例如，一个数据位)。举例来说，在SLC中，2.5V或高于2.5V的Vt可指示经编程存储器单元(例如，表示逻辑0)，而-0.5V或低于-0.5V之Vt可指示经擦除存储器单元(例如，表示逻辑1)。此存储器可通过包含多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)、四电平单元(QLC)等或其组合(其中存储器单元具有多个电平，所述多个电平使得更多数据数字能够被存储于每一存储器单元中)而实现较高水平的存储容量。举例来说，MLC可经配置以每存储器单元存储由四个Vt范围表示的两个数据数字，TLC可经配置以每存储器单元存储由八个Vt范围表示的三个数据数字，QLC可经配置以每存储器单元存储由十六个Vt范围表示的四个数据数字。

感测(例如，读取或检验)存储器单元的数据状态通常涉及检测存储器单元是否响应于施加到其控制栅极的特定电压而被视为已激活，例如通过检测连接到存储器单元的数据线是否经历由穿过存储器单元的电流流动导致的电压电平的充分改变。随着存储器操作进展以表示每存储器单元的额外数据状态，邻近Vt范围之间的裕度可变得较小。如果所感测存储器单元的Vt随时间移位，那么此可导致对所感测存储器单元的数据状态的不准确确定。