[发明专利]一种半导体电子器件退火加工用输送行走装置

说明书

本发明公开了一种半导体电子器件退火加工用输送行走装置，属于电子产品加工技术领域，一种半导体电子器件退火加工用输送行走装置，包括炉体外壳，炉体外壳的前后两侧内壁上均固定有支撑板，支撑板上滑动连接有齿板，齿板的下表面上一体成型有多个齿牙，半导体管放置槽上放置有多个半圆形凹槽，炉体外壳的前后两侧内壁上插接有转动轴，转动轴的外壁上位于齿牙的下方转动连接有外齿轮，外齿轮与齿牙啮合设置，外齿轮的前侧壁上同轴固定有内缘棘轮，可以实现对待加工半导体管的单项间歇式输送，无需人工操作进行输送，且由于能够实现间歇式输送，保证半导体管的退火处理效果，另外整个装置的稳定性高，不会产生偏转现象。

技术领域

本发明涉及电子产品加工技术领域，更具体地说，涉及一种半导体电子器件退火加工用输送行走装置。

背景技术

半导体器件通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。

退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60％。

现有的退火炉在对半导体器件进行退火处理时，需要人工进行间歇式上料，而不能实现物料的间歇式输送，大大的影响了半导体退火处理的工作效率，且退火炉工作过程中会产生很多废气，通常这些废气都会直接排放，造成了能源的浪费。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体电子器件退火加工用输送行走装置，可以实现对待加工半导体管的单项间歇式输送，无需人工操作进行输送，且由于能够实现间歇式输送，保证半导体管的退火处理效果，另外整个装置的稳定性高，不会产生偏转现象。

2.技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。