[发明专利]一种温敏性细胞培养板及其制备方法

权利要求书

1.一种温敏性细胞培养板，其特征在于：以经过修饰的硅片作为基底，硅片表面连有含叠氮端基侧链的温敏性聚合物刷p(EO)₄MA，胆碱磷酸通过点击反应修饰于p(EO)₄MA侧链末端；其中，p(EO)₄MA以(EO)₄MA为单体聚合得到；所述的硅片表面首先经过(11-(2-溴-2-甲基)丙酰氧基)十二烷基三氯硅烷的修饰，(11-(2-溴-2-甲基)丙酰氧基)十二烷基三氯硅烷为ATRP反应的引发剂，引发(EO)₄MA的聚合；所述的(EO)₄MA的结构式为

2.一种温敏性细胞培养板的制备方法，其特征在于：包含如下步骤：

a.制备(EO)₄MA；首先进行第一次反应，向干燥的单口烧瓶中依次加入四甘醇、三乙胺和四氢呋喃，随后将对甲苯磺酰氯溶于四氢呋喃并滴加到反应体系中，室温反应后，除去生成的沉淀，并用二氯甲烷作为萃取剂进行萃取，旋转蒸发除去二氯甲烷后向溶液中加入叠氮化钠和二甲基甲酰胺，在反应后，除去沉淀、进行二氯甲烷萃取、MgSO₄干燥，得到2-(2-(2-(2-叠氮乙氧基)乙氧基)乙氧基)乙醇，再进行第二次反应，向烧瓶中依次加入2-(2-(2-(2-叠氮乙氧基)乙氧基)乙氧基)乙醇、四氢呋喃、三乙胺，再将甲基丙烯酰氯滴加到反应体系中，室温反应后，除去沉淀、二氯甲烷萃取、MgSO₄干燥，得到(EO)₄MA；

b.制备温敏性聚合物刷p(EO)₄MA表面；将经过(11-(2-溴-2-甲基)丙酰氧基)十二烷基三氯硅烷修饰过的硅片置于无水乙醇中，并将(EO)₄MA、1，1，4，7，10，10-六甲基三乙烯四胺、CuBr溶于乙醇中，在无氧环境中反应之后取出硅片，用无水甲苯和无水甲醇冲洗硅片表面，得到温敏性聚合物刷p(EO)₄MA表面；

c.制备胆碱磷酸修饰的温敏性细胞培养板；用甲醇的水溶液溶解胆碱磷酸、五水硫酸铜以及抗坏血酸钠盐，得到混合溶液，随后将步骤b中得到的温敏性聚合物刷p(EO)₄MA表面浸入上述混合溶液中反应，移除反应液，用甲醇冲洗表面，得到胆碱磷酸修饰的温敏性细胞培养板。

3.如权利要求2所述的一种温敏性细胞培养板的制备方法，其特征在于：步骤a的第一次反应中，向干燥的单口烧瓶中依次加入1.0mol四甘醇、0.25mol-0.35mol三乙胺和50ml四氢呋喃，随后将0.2mol-0.5mol对甲苯磺酰氯溶于50ml四氢呋喃并滴加到反应体系中，室温反应12h；后续过程中，在旋转蒸发除去二氯甲烷后向溶液中加入0.25mol-0.28mol叠氮化钠和120ml二甲基甲酰胺，在70℃-80℃范围内反应24h；步骤a的第二次反应中，甲基丙烯酰氯滴加到反应体系后，室温反应12h；

步骤b中，将经过(11-(2-溴-2-甲基)丙酰氧基)十二烷基三氯硅烷修饰过的硅片置于10ml-15ml无水乙醇中，并将1.74mmol-3.48mmol(EO)₄MA、0.028mmol-0.042mmol的1，1，4，7，10，10-六甲基三乙烯四胺、0.014mmol-0.029mmol的CuBr溶于乙醇中，在无氧环境中保持45℃-50℃的温度反应2h-22h；

步骤c中，用10ml-15ml甲醇的水溶液溶解50mg-300mg胆碱磷酸、2mg-6mg五水硫酸铜以及5mg-15mg抗坏血酸钠盐，得到混合溶液，随后，将p(EO)₄MA表面浸入上述混合溶液中，在40℃下反应24h。

4.如权利要求3所述的一种温敏性细胞培养板的制备方法，其特征在于：制备(EO)₄MA的第二次反应中，按摩尔比，2-(2-(2-(2-叠氮乙氧基)乙氧基)乙氧基)乙醇∶三乙胺∶甲基丙烯酰氯＝1∶(1.5-3)∶1.2。

5.如权利要求3所述的一种温敏性细胞培养板的制备方法，其特征在于：步骤a中的对甲苯磺酰氯的滴加时间为2h-3h，在滴加过程中使用冰浴，滴加结束后，撤去冰浴，在常温下反应。