[发明专利]晶体管结构、GOA电路及显示面板有效
申请号: | 202010403049.7 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN111584640B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 奚苏萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 结构 goa 电路 显示 面板 | ||
1.一种晶体管结构,其特征在于,包括:基板,以及依次设置在所述基板上的源漏极层和钝化层;其中,
所述源漏极层包括源极以及漏极,所述源极围绕所述漏极设置,且所述源极呈环形状;所述钝化层具有一过孔,所述漏极在所述钝化层上的投影覆盖所述过孔,
其中所述晶体管结构还包括一有源层,所述有源层设置在所述基板与所述源漏极层之间,所述有源层包括一沟道;
其中所述晶体管结构还包括一栅极层,所述栅极层设置在所述基板上,所述栅极层包括一栅极;所述栅极呈环形状,所述栅极层在所述基板上的投影与所述沟道在所述基板上的投影重合,及所述栅极层在所述基板上的投影与所述源极在所述基板上的投影以及所述漏极在所述基板上的投影均不重合。
2.根据权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于,所述过孔对应位于所述漏极的中间区域。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于,所述栅极在所述基板上的投影环绕所述漏极在所述基板上的投影设置。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于,所述晶体管结构为顶栅结构或者底栅结构。
5.根据权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于,所述沟道呈环形状,且所述沟道对应围绕所述过孔设置。
6.根据权利要求1所述的晶体管结构,其特征在于,所述源极在所述基板上的投影、所述漏极在所述基板上的投影均与所述沟道在所述基板上的投影至少部分重合。
7.一种GOA电路,其特征在于,包括权利要求1-6中任意一项所述的晶体管结构。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6中任意一项所述的晶体管结构。
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