[发明专利]一种铪铝氧薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202010402797.3 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111668023B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;杨慧 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/33;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 526000 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铪铝氧 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，其特征在于，准备铪源和铝源前驱体，通过臭氧利用原子层沉积技术于一定铪源加热温度以及生长温度下在重掺硅上生长铪铝氧薄膜，最后经高温退火处理后得到；
所述高温退火在氧气氛围中进行，包括升温阶段、保温阶段和降温阶段，升温阶段是300s，升温速率为1.33℃/s，当温度达到400℃时，保温1800s，而后是降温阶段，降温时间和降温速率与升温阶段相同。
2.根据权利要求1所述的一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述铪铝掺杂比为(1-3)：(1-10)。
3.根据权利要求1所述的一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述铪铝氧薄膜的生长温度为80-300℃。
4.根据权利要求1所述的一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述铪源加热温度为80-90℃。
5.根据权利要求1所述的一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，其特征在于，所述臭氧的流量为50-400 mL/min。
6.采用权利要求1-5任一项所述的制备方法得到的铪铝氧薄膜在制备射频薄膜电容器中的应用。
7.一种铪铝氧薄膜电容器，其特征在于，包括采用权利要求1-5任一项所述的制备方法得到的铪铝氧薄膜。
8.权利要求7所述的铪铝氧薄膜电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、先在铪铝氧薄膜的正面上镀镍顶电极，再在镍顶电极上镀金顶电极；
S2、先在铪铝氧薄膜的重掺硅背面上镀一整层镍底电极，再在镍底电极上镀一整层金底电极；
S3、对镀完电极后的电容器进行高温退火处理后即得。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高温退火为氮气氛围下300℃退火10min。
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