[发明专利]陶瓷劈刀及其表面粗化处理方法和半导体封装方法有效

专利信息
申请号: 202010402145.X 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN111558992B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 朱佐祥;谭毅成 申请(专利权)人: 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司
主分类号: B28B11/24 分类号: B28B11/24;H01L21/60
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李睿
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 劈刀 及其 表面 处理 方法 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种陶瓷劈刀的表面粗化处理方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供陶瓷劈刀半成品,所述陶瓷劈刀半成品的材料为氧化铝或增韧氧化铝;及

将所述陶瓷劈刀半成品表面进行微波粗化处理,制备陶瓷劈刀,其中,所述微波处理的温度为1200℃~1600℃,升温速率为0.2℃/min~15℃/min,保温时间为0.5h~12h,所述微波处理用于对所述陶瓷劈刀半成品进行表面处理,以使所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.60μm;

所述陶瓷劈刀能够用于金线焊接、合金线焊接或铜线焊接。

2.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法,其特征在于,所述微波粗化处理的温度为1400℃~1500℃,升温速率为2℃/min~5℃/min,保温时间为3h~4h。

3.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法,其特征在于,所述微波粗化处理的温度为1300℃~1400℃,升温速率为5℃/min~8℃/min,保温时间为2h~3h。

4.根据权利要求1所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法,其特征在于,所述微波粗化处理的温度为1200℃~1300℃,升温速率为8℃/min~10℃/min,保温时间为0.5h~2h。

5.一种陶瓷劈刀,其特征在于,由权利要求1~4任一项所述的陶瓷劈刀的表面粗化处理方法制作得到。

6.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀,其特征在于,所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.4μm~0.6μm。

7.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀,其特征在于,所述陶瓷劈刀的表面粗糙度为0.1μm~0.3μm。

8.根据权利要求5所述的陶瓷劈刀,其特征在于,所述瓷劈刀的表面粗糙度为0.01μm~0.10μm。

9.一种半导体封装方法,其特征在于,包括如下步骤:使用陶瓷劈刀和焊线将芯片与封装框架焊接,以使所述芯片与所述封装框架电气导通,其中,所述陶瓷劈刀为权利要求5~8任一项所述的陶瓷劈刀,所述焊线为金线、合金线或铜线。

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