[发明专利]一种铜基复合薄膜催化剂、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种铜基复合薄膜催化剂，其特征在于，包括具有微孔的薄膜衬底、设置于所述薄膜衬底上的铜膜、设置于所述铜膜上的酞菁钴类化合物薄膜与设置于酞菁类化合物薄膜上的炭材料层；

所述铜基复合薄膜催化剂中酞菁钴类化合物的负载量为0.05~0.1 mg/cm²；

所述铜基复合薄膜催化剂中炭材料的负载量为0.05~0.2 mg/cm²；

所述薄膜衬底的微孔的平均直径为1~2 μm。

2.根据权利要求1所述的铜基复合薄膜催化剂，其特征在于，所述铜膜的厚度为400~800 nm。

3.根据权利要求1所述的铜基复合薄膜催化剂，其特征在于，所述酞菁钴类化合物薄膜为酞菁钴薄膜；所述炭材料层为炭黑层。

4.一种权利要求1所述的铜基复合薄膜催化剂的制备方法，其特征在于，包括：

S1）在具有微孔的薄膜衬底上通过磁控溅射得到复合有铜膜的薄膜衬底；

S2）在所述复合有铜膜的薄膜衬底上依次喷涂酞菁钴类化合物与炭材料，得到铜基复合薄膜催化剂。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的电流为40~80毫安；所述磁控溅射的时间为50~80 min。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时氩气的压力为2×10^-3~3×10^-3毫巴。

7.权利要求1所述的铜基复合薄膜催化剂在电催化二氧化碳还原反应中的应用。