[发明专利]显示面板和包括该显示面板的显示设备在审
| 申请号: | 202010401722.3 | 申请日: | 2020-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN111933662A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 崔原硕;金铉哲;李省龙;郑银爱;崔允瑄 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;郭文峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 包括 设备 | ||
提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示设备,所述显示面板包括:基底,包括第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的第三区域;第一结构,位于第二区域中,并且包括像素电极、对电极、至少一个有机材料层和位于像素电极与对电极之间的中间层;以及多个凹槽,位于第三区域中,并且将所述至少一个有机材料层分开并将对电极分开,其中,所述多个凹槽中的第一凹槽设置在包括下层和上层的多层膜中,其中,上层包括无机材料层和与第一凹槽相邻的第一台阶,第一台阶具有比下层的上表面高的高度。
本申请要求于2019年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055836号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思的示例性实施例涉及一种显示面板,更具体地,涉及一种在显示区域内部具有第一区域的显示面板以及包括该显示面板的显示设备。
背景技术
显示设备是用于以视觉形式呈现信息的装置。已经引用了具有诸如薄、轻重量和低功耗的特性的各种类型的显示设备。因此,显示设备的使用范围正变得广泛。
用于连接或结合到显示设备的各种功能已经增加,同时显示设备的显示区域的尺寸已经增加。为了在扩大显示区域所占据的面积的同时添加各种功能,正在研究用于在显示区域中布置组件的技术。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:基底,包括第一区域、第二区域和位于第一区域与第二区域之间的第三区域;第一结构,位于第二区域中,并且包括像素电极、对电极、至少一个有机材料层和位于像素电极与对电极之间的中间层;以及多个凹槽,位于第三区域中,并且将所述至少一个有机材料层分开并将对电极分开,其中,所述多个凹槽中的第一凹槽设置在包括下层和上层的多层膜中,其中,上层包括无机材料层和与第一凹槽相邻的第一台阶,第一台阶具有比下层的上表面高的高度。
上层可以包括导电氧化物层、金属层或无机绝缘层。
下层可以包括无机绝缘膜。
上层可以包括朝向第一凹槽的中心突出的一对尖端。
上层的底表面的一部分可以在尖端中的每个处与下层的上表面分开。
底切结构可以位于尖端中的每个与下层之间,底切结构的宽度可以比下层中的孔或凹陷的宽度大。
显示面板还可以包括位于底切结构中的残留层。
残留层可以包括有机材料。
上层可以包括:第一子上层,位于下层上方;以及第二子上层,位于第一子上层上方,并且包括有机绝缘材料。
第一子上层可以包括无机绝缘材料。
显示面板还可以包括:薄膜晶体管,位于基底与第一结构之间;第一有机绝缘层和第二有机绝缘层,位于薄膜晶体管与像素电极之间;以及像素限定膜,与像素电极叠置。
第二子上层可以包括与第一有机绝缘层、第二有机绝缘层或像素限定膜相同的材料。
薄膜晶体管可以包括:半导体层;栅电极,与半导体层至少部分叠置;以及第一电极,电连接到半导体层,显示面板还可以包括将第一电极连接到像素电极的连接电极。
第一子上层可以包括与第一电极相同的材料。
第一子上层可以包括与连接电极相同的材料。
显示面板还可以包括位于第二子上层与第一子上层之间的第三子上层。
薄膜晶体管可以包括:半导体层;栅电极,与半导体层至少部分叠置;以及第一电极,电连接到半导体层,显示面板还可以包括将第一电极连接到像素电极的连接电极,第三子上层包括与连接电极相同的材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010401722.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





