[发明专利]一种硅氢官能团的多面体低聚倍半硅氧烷的合成方法在审
| 申请号: | 202010399518.2 | 申请日: | 2020-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN111423586A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 刘丽;吴帆;黄玉东;何志超 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C08G77/12 | 分类号: | C08G77/12;C08G77/06 |
| 代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 官能团 多面体 低聚倍半硅氧烷 合成 方法 | ||
一种硅氢官能团的多面体低聚倍半硅氧烷的合成方法,属于倍半硅氧烷制备技术领域。为解决氯硅烷化过程中的原料浪费的问题,所述方法如下:将正硅酸四乙酯加入到有机溶剂中,加入催化剂反应;将POSS铵盐旋蒸除去有机溶剂,用洗涤溶剂冲洗得到的白色固体,真空干燥;将二甲基氯硅烷溶于有机溶剂中,将POSS铵盐充分研磨为白色粉末并分批加入溶液中,搅拌下反应;分液处理反应产物并取有机相,用洗涤溶剂冲洗有机相后,除去洗涤溶剂,旋蒸除去有机相中的有机溶剂,用洗涤溶剂洗涤产物,真空干燥。本发明先将POSS铵盐多次后处理以减少铵盐中存在的杂质,然后用纯化后的POSS铵盐与氯硅烷反应,大大减少所需氯硅烷单体的量,降低成本。
技术领域
本发明属于倍半硅氧烷制备技术领域,具体涉及一种硅氢官能团的多面体低聚倍半硅氧烷的合成方法。
背景技术
笼型低聚倍半硅氧烷,简称POSS,是一类尺寸在1-3nm的有机-无机杂化分子,具有结构规整、高热稳定性、低介电常数、高阻燃性等优点。此外,由于骨架为Si-O-Si结构,POSS与聚合物相容性良好,可形成分子级复合,是材料领域的研究热点。POSS的结构为(RSiO1.5)n,n=8时为对称性最优的T8立方笼型结构,R为有机官能团,可根据需要修饰一种或多种不同结构。POSS既可作为无机填料共混到聚合物基体中,也可作为聚合单体与基体化学键合,在纳米尺度上改进聚合物的性能。
官能化POSS分为Tn型和QxMy型两种,Tn型主要通过水解缩合法制备,根据官能团需要选择不同的硅烷偶联剂,在酸或碱催化下实现笼的缩合,T8结构POSS如图1所示。此种方法虽然简单方便,可以直接得到带有目标官能团的POSS产物,但是产率很低且副产物多,并且由于副产物与笼型产物结构性能相似,很难分离提纯,后处理繁琐且困难,使得成本提高。目前为止,国内并没有简单有效的分离方法提纯Tn型POSS。
QxMy型POSS则是硅源在碱催化下直接形成立方笼型结构,再进行氯硅烷化得到H-POSS,根据需要再进行硅氢加成得到目标产物,QM型POSS的结构如2图所示。此方法中,以正硅酸酯为反应起始物,得到POSS铵盐步骤产率高且副产物很少,后处理简单。但是在氯硅烷化过程中,却存在大量的原料浪费问题。氯硅烷化单体为二甲基氢一氯硅烷,此单体相比于其他反应物价格较贵,且由于极易水解,十分不稳定。因为需大大过量于POSS盐,造成严重浪费,成本提高。
发明内容
本发明为了解决氯硅烷化过程中的原料浪费的问题,提供一种硅氢官能团的多面体低聚倍半硅氧烷的合成方法,该方法利用对POSS铵盐的后处理,减少杂质和水的存在,大大降低所需的二甲基氢一氯硅烷,降低成本。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案如下:
一种硅氢官能团的多面体低聚倍半硅氧烷的合成方法,所述方法步骤如下:
步骤一:以正硅酸四乙酯为硅源,将其加入到有机溶剂中,再加入催化剂,搅拌反应得到POSS铵盐;
步骤二:将步骤一的POSS铵盐旋蒸除去有机溶剂,得到白色固体,用洗涤溶剂冲洗白色固体3~5次,冲洗后放入真空烘箱中干燥;
步骤三:将二甲基氯硅烷溶于有机溶剂中,将步骤三得到的POSS铵盐充分研磨为白色粉末并分批加入溶液中,每次不多于0.1g,搅拌下反应;
步骤四:反应结束后,分液处理反应产物并取有机相,用洗涤溶剂冲洗有机相3~5次后,除去洗涤溶剂,旋蒸除去有机相中的有机溶剂,得到白色固体;
步骤五:用0-5℃洗涤溶剂洗涤3~5次所得产物,置于真空烘箱中45℃干燥5h。
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