[发明专利]半导体器件场板的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件场板的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体外延片表面形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第一定位孔；

在所述第一介质层表面以及被所述第一定位孔暴露的半导体外延片表面形成第二介质层；

在所述第一定位孔内的第二介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第二定位孔；

在第二介质层表面以及所述第一定位孔和所述第二定位孔处形成场板结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半导体外延片表面形成第一介质层包括：

通过等离子气相沉积、准大气压气相沉积、低压气相沉积、溅射蒸镀和原子层沉积中的一种方法在半导体外延片表面沉积第一介质层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体外延片包括：衬底、缓冲层、电子沟道层、势垒层和钝化层，其中，所述钝化层表面为所述半导体外延片表面。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在半导体外延片表面形成第一介质层之后，还包括：

在所述第一介质层上形成暴露所述势垒层或所述钝化层的第一电极孔和第二电极孔；

通过金属蒸镀在所述第一介质层表面以及被所述第一电极孔和所述第二电极孔暴露的势垒层或钝化层表面形成金属层，其中，所述金属层的表面为平整表面；

在所述金属层上形成暴露所述第一介质层表面的孔，所述孔两端的金属层构成半导体器件的第一电极和第二电极。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述场板结构的第一端距离所述第一电极的第一距离不超过所述第一定位孔的第一边沿距离所述第一电极的第二距离的一半，所述场板结构的第二端距离所述第二电极的第三距离不超过所述第一定位孔的第二边沿距离所述第二电极的第四距离的一半，其中，所述场板结构的第一端为靠近所述第一电极的一端，所述场板结构的第二端为靠近所述第二电极的一端，所述第一定位孔的第一边沿靠近所述第一电极的边沿，所述第一定位孔的第二边沿靠近所述第二电极的边沿。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属蒸镀包括：包括磁控溅射、电子束蒸发、热蒸镀和电镀中的一种。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第一定位孔包括：

通过光刻工艺结合干法刻蚀或湿法腐蚀中的至少一种在所述第一介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第一定位孔。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层在所述第一定位孔的边沿处形成的拐角为弧形结构。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二定位孔的宽度为半导体器件的第三电极的宽度。