[发明专利]一种原子芯片用双重保护电路有效

专利信息
申请号: 202010396020.0 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111564826B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 周蜀渝;巩冬梅;王颖 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H11/00;H02H9/02
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 原子 芯片 双重 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于该电路包括:第一级保护电路、第二级保护电路、数字型光电耦合器、稳压二极管、芯片导线接线柱和警报器;

所述第一级保护电路的输入端连接数字型光电耦合器的输出端,所述第一级保护电路的输出端连接芯片导线接线柱;

所述第二级保护电路的输入端连接数字型光电耦合器的输出端,所述第二级保护电路的输出端分别连接芯片导线接线柱和警报器;

所述芯片导线接线柱两端同时连接稳压二极管;

所述的第一级保护电路包括第一继电器控制电路和普通继电器,普通继电器在控制线圈未通电时触点处于常闭状态,它与芯片微导线并联,在TTL控制信号为低电平时,普通继电器K1使芯片导线短路;即使超低噪声电流源处于输出状态,绝大部分的电流也不会通过芯片微导线;当TTL控制信号处于高电平时,普通继电器K1的触点处于开路状态,超低噪声电流源输出的电流能完全通过芯片导线;

所述的第二级保护电路包括依次连接的第一滞回比较器、积分电路、第二滞回比较器、第二继电器控制电路以及磁吸继电器;磁吸继电器的控制电路防止由于主控计算机故障导致的芯片微导线熔断;来自计算机数字输出卡的TTL电平经过数字型光电耦合器之后输入第一滞回比较器;

第一级保护电路使得只有当TTL控制信号为高电平时,电流才能流过芯片上的微导线,否则将被普通继电器短路掉;而一旦TTL控制信号为高电平的持续时间超出允许范围,第二级保护电路将使磁吸继电器动作,使芯片导线短路同时报警,从而为芯片导线提供了保护。

2.根据权利要求1所述的一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于,所述的第一级保护电路包括第一继电器控制电路和普通继电器;

所述第一继电器控制电路包含一只N沟道场效应管Q1,数字型光电耦合器的输出端连接场效应管Q1的栅极,场效应管Q1的漏极接电源正极,场效应管Q1的源极接普通继电器的控制端正极,普通继电器的控制端负极接地,普通继电器的两输出端分别与芯片导线接线柱两端连接。

3.根据权利要求1所述的一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于,所述的第二级保护电路包括第一滞回比较器、积分电路、第二滞回比较器、第二继电器控制电路以及磁吸继电器;

所述第一滞回比较器的输入端连接数字型光电耦合器的输出端,第一滞回比较器的输出端连接积分电路的输入端;所述的积分电路由依次连接的积分器和反相器构成,积分器输出端连接反相器的输入端;积分电路的输出端即反相器的输出端,连接第二滞回比较器的输入端;第二滞回比较器的输出端连接第二继电器控制电路的输入端。

4.根据权利要求3所述的一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于,所述第二继电器控制电路包含一只N沟道场效应管Q2,场效应管Q2的栅极接第二滞回比较器的输出端,场效应管Q2的漏极接电源正极,场效应管Q2的源极接磁吸继电器的控制端正极,磁吸继电器的控制端负极接电源负极。

5.根据权利要求3或4所述的一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于,所述的磁吸继电器具有双路输出,其中一路的两输出端分别与芯片导线接线柱两端连接,另一路的输出端正极接警报器负极,输出端负极接地;磁吸继电器有重置端,重置端正极接电源正极,重置端负极与按键开关的一端连接,按键开关的另一端接电源负极;警报器正极接电源正极。

6.根据权利要求1-4任一所述的一种原子芯片用双重保护电路,其特征在于,所述稳压二极管是两只击穿电压30伏至50伏的稳压二极管反向串联。

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