[发明专利]电阻式存储装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；

第一金属氧化物层，在一垂直方向上设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该第一金属氧化物层包括多个第一金属原子；

第二金属氧化物层，在该垂直方向上设置于该第一金属氧化物层与该第二电极之间，其中该第二金属氧化物层包括多个第二金属原子；以及

多层绝缘体结构，在该垂直方向上设置于该第一金属氧化物层与该第二金属氧化物层之间，其中该多层绝缘体结构包括多个第三金属原子，各该第三金属原子与各该第二金属原子相同，且该多个第三金属原子在该多层绝缘体结构中的原子百分比(at.％)于该垂直方向上逐渐改变。

2.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该多个第二金属原子在该第二金属氧化物层中的原子百分比高于该多个第三金属原子在该多层绝缘体结构中的该原子百分比。

3.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构于该垂直方向上具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面与该第一金属氧化物层相连，且该第二表面与该第二金属氧化物层相连。

4.如权利要求3所述的电阻式存储装置，其中该多个第三金属原子在该多层绝缘体结构中的该原子百分比自该第一表面到该第二表面逐渐增加。

5.如权利要求3所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构还包括多个第四金属原子，各该第四金属原子与各该第一金属原子相同，其中该多个第一金属原子在该第一金属氧化物层中的原子百分比高于该多个第四金属原子在该多层绝缘体结构中的原子百分比，且该多个第四金属原子在该多层绝缘体结构中的该原子百分比自该第一表面到该第二表面逐渐减少。

6.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构于该垂直方向上的厚度大于该第一金属氧化物层于该垂直方向上的厚度以及该第二金属氧化物层于该垂直方向上的厚度。

7.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构的第一层在该垂直方向上设置于该多层绝缘体结构的第二层与该第一金属氧化物层之间，且该多个第三金属原子在该第二层中的原子百分比高于该多个第三金属原子在该第一层中的原子百分比。

8.如权利要求7所述的电阻式存储装置，其中该多个第三金属原子在该第一层中的该原子百分比存在于该第一层中的第一区中，且该第一区于该垂直方向上的长度大于或等于该第一层于该垂直方向上的厚度的90％。

9.如权利要求7所述的电阻式存储装置，其中该多个第三金属原子在该第二层中的该原子百分比存在于该第二层中的第二区中，且该第二区于该垂直方向上的长度大于或等于该第二层于该垂直方向上的厚度的90％。

10.如权利要求7所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构的第三层在该垂直方向上设置于该多层绝缘体结构的该第二层与该第二金属氧化物层之间，且该多个第三金属原子在该第三层中的原子百分比高于该多个第三金属原子在该第二层中的该原子百分比。

11.如权利要求7所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构还包括多个第四金属原子，且各该第四金属原子与各该第一金属原子相同，其中该多个第四金属原子在该第一层中的原子百分比高于该多个第四金属原子在该第二层中的原子百分比。

12.如权利要求11所述的电阻式存储装置，其中该多层绝缘体结构的第三层在该垂直方向上设置于该多层绝缘体结构的该第二层与该第二金属氧化物层之间，且该多个第四金属原子在该第二层中的该原子百分比高于该多个第四金属原子在该第三层中的原子百分比。

13.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该第一金属氧化物层中未设置该第二金属原子，且该第二金属氧化物层中未设置该第一金属原子。