[发明专利]一种电源适配器及电子设备有效

专利信息
申请号: 202010393363.1 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111585457B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 朱朝军 申请(专利权)人: 西安新摩尔半导体有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 彭愿洁;彭家恩
地址: 710000 陕西省西安市未*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电源 适配器 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电源适配器,其特征在于,包括:

整流桥电路,用于将电源输出的交流电转化为直流电;

放电控制电路,用于将所述整流桥电路输出的直流电转化为高压高频交流电;

变压电路,包括正输入端、负输入端、正输出端和负输出端,所述正输入端和负输入端与所述放电控制电路连接;所述变压电路用于将所述高压高频交流电转化为低压高频交流电;

输出控制电路,包括第一连接端、第二连接端、正电压输出端和负电压输出端,所述第一连接端和第二连接端分别与所述变压电路的正输出端和负输出端连接,所述正电压输出端和负电压输出端用于分别作为所述电源适配器的正电源输出端和负电源输出端;所述输出控制电路用于将所述低压高频交流电转化为直流电,以作为所述电源适配器的输出;

所述输出控制电路包括整形滤波电路和假负载电路;所述整形滤波电路用于将所述低压高频交流电转化为直流电;所述假负载电路用于所述电源适配器空载时维持所述输出控制电路输出的直流电的电压;

所述假负载电路包括电流检测电路和开关电路,所述电流检测电路与所述变压电路的正输出端或负输出端连接,用于检测所述变压电路的正输出端或负输出端的电流,以用于根据所述变压电路的正输出端或负输出端有或无电流时控制所述开关电路断开或导通;所述开关电路连接在所述输出控制电路的正电压输出端和负电压输出端之间,所述开关电路用于所述电源适配器空载时导通,以维持所述输出控制电路输出的直流电的电压。

2.如权利要求1所述电源适配器,其特征在于,所述整形滤波电路包括电源芯片、电阻R1和电容C1;所述电源芯片包括电源输出端VCC、电源接地端GND和电源控制端D,所述电源芯片用于将所述变压电路输出的低压高频交流电转化为直流电;所述电源输出端VCC与所述第一连接端和正电压输出端连接,所述电源控制端D与所述第二连接端连接,所述电源接地端GND与所述负电压输出端连接;电阻R1和电容C1串联连接后,一端与所述电源控制端D连接,另一端与所述电源接地端GND连接。

3.如权利要求2所述电源适配器,其特征在于,所述整形滤波电路还包括电容C2,一端与所述电源接地端GND连接,另一端与所述电源输出端VCC连接。

4.如权利要求2所述电源适配器,其特征在于,所述电源芯片包括控制单元、驱动单元、控制二极管D1和第二晶体管Q1;所述控制单元用于向所述驱动单元输出使能控制信号,所述驱动单元响应所述使能控制信号向所述第二晶体管Q1输出驱动控制信号,所述第二晶体管Q1响应所述驱动控制信号导通或关闭;所述第二晶体管Q1的控制端与所述驱动单元连接,所述晶体管Q1的第一极和第二极连接在所述电源控制端D与所述电源接地端GND之间;所述控制二极管D1串联在所述电源控制端D与所述电源接地端GND之间。

5.如权利要求4所述电源适配器,其特征在于,所述电流检测电路与所述电源控制端D连接;所述电流检测电路通过检测所述第二晶体管Q1第一极和第二极之间的电流判断所述变压电路的正输出端或负输出端有或无电流,和/或所述电流检测电路依据所述第二晶体管Q1的开关周期判断所述变压电路的正输出端或负输出端有或无电流。

6.如权利要求1所述电源适配器,其特征在于,所述放电控制电路包括第一二极管D21、第二二极管D22、第三晶体管Q21、电阻R21、电容C21和脉冲调制控制器;所述第三晶体管Q21的控制极与所述脉冲调制控制器连接,所述第三晶体管Q21的第二极与所述整流桥电路连接,所述第三晶体管Q21的第一极与所述变压电路的负输入端连接;所述第一二极管D21的正极与所述第三晶体管Q21的第一极连接并接地,所述第一二极管D21的负极与所述第三晶体管Q21的第二极连接;所述第二二极管D22的正极与所述第三晶体管Q21的第二极连接;所述电阻R21和电容C21并联连接后一端与所述变压电路的正输入端连接,另一端与所述第二二极管D22的负极连接。

7.如权利要求6所述电源适配器,其特征在于,所述放电控制电路还包括电容C22,串联在所述变压电路的正输入端与地之间。

8.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的电源适配器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安新摩尔半导体有限公司,未经西安新摩尔半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010393363.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top