[发明专利]一种X射线吸收光栅及其制作方法

权利要求书

1.一种X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)基底制备

选择厚度为几十至几百微米的双面抛光硅片作为基底片，在所述基底片上均匀涂抹一层SU8光刻胶，制作与X射线吸收光栅图案匹配的掩膜版，在所述SU8光刻胶上显影出X射线吸收光栅图案，然后刻蚀出槽，形成X射线吸收光栅图案，去除基底片表面的SU8光刻胶，得到具有X射线吸收光栅图案的硅基底；

(2)蒸发镀膜

将制得的硅基底在蒸发镀膜设备中进行镀膜，镀膜材料选用高原子序数的金属材料；

(3)表面去膜

蒸发镀膜结束后，去除硅基底表面的金属膜层，保留硅基底槽内的膜层，完成X射线吸收光栅的制作。

2.如权利要求1所述的X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，利用丙酮溶液去除所述基底片表面的SU8光刻胶。

3.如权利要求1所述的X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，所述镀膜材料采用金、铂或铅。

4.如权利要求3所述的X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，所述镀膜采用真空镀膜，真空度为5×10^-4Pa，蒸发电流为70A。

5.如权利要求4所述的X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，镀膜过程中将所述硅基底匀速旋转和平移，以提高镀膜的均匀性。

6.如权利要求1所述的X射线吸收光栅的制作方法，其特征在于，步骤(3)中，去除硅基底表面的金属膜层的方法为：利用胶带粘连金属膜层，撕去硅基底表面的金属膜层。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的X射线吸收光栅的制作方法制作的X射线吸收光栅。