[发明专利]一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层及其制法在审

专利信息
申请号: 202010386445.3 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111500150A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 杨勇华 申请(专利权)人: 杨勇华
主分类号: C09D163/00 分类号: C09D163/00;C09D7/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250000 山东省济南市天*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 二硫化钼 铁氧体 环氧树脂 电磁 屏蔽 涂层 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,包括以下原料及组分,其特征在于:改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体、环氧树脂、酸酐固化剂、消泡剂,质量比为20-60:100:50-80:0.5-2。

2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,其特征在于:所述二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层制备方法包括以下步骤:

(1)向蒸馏水溶剂中加入氯化铁、氯化钡和氯化镍、搅拌均匀后加入氢氧化钠,在30-50℃下反应4-6h,过滤、洗涤并干燥,置于管式电阻炉中,升温速率为10-20℃/min,升温至900-1000℃,保温煅烧2-3h,制备得到纳米Ni掺杂钡铁氧体;

(2)向蒸馏水溶剂中加入纳米Ni掺杂钡铁氧体,超声分散均匀后加入表面活性剂十二烷基硫酸钠、(NH4)6Mo7O24和硫脲,搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜中,并置于反应釜烘箱中,加热至170-190℃,反应20-30h,过滤、洗涤并干燥,制备得到缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体;

(3)向乙醇和蒸馏水混合溶剂中加入缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体,超声分散均匀后加入硅烷偶联剂,在60-80℃下反应5-10h,过滤溶剂、洗涤并干燥,制备得到环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体;

(4)向丙酮溶剂中加入环氧基团修饰的改性MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体,超声分散均匀后加入环氧树脂、酸酐固化剂和消泡剂,搅拌均匀后将物料置于模具中流延成膜,进行干燥、压片和热固化成膜过程,制备得到二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层。

3.根据权利要求2所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,其特征在于:所述步骤(1)中的氯化铁、氯化钡、氯化镍和氢氧化钠的物质的量比为11.2-11.7:1:0.3-0.8:13-20,Ni掺杂钡铁氧体的化学分子式为BaNi0.3-0.8Fe11.2-11.7O19

4.根据权利要求2所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,其特征在于:所述纳米Ni掺杂钡铁氧体、表面活性剂十二烷基硫酸钠、(NH4)6Mo7O24和硫脲的质量比为0.6-1.2:0.8-2:10:15-20。

5.根据权利要求2所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,其特征在于:所述步骤(2)中的反应釜烘箱包括内部固定连接有转动装置、转动装置活动连接有旋转轴、旋转轴固定连接有底座、底座上方设置有反应釜、底座固定连接有弹簧板、弹簧板固定连接有弹簧、弹簧固定连接有限位卡板。

6.根据权利要求2所述的一种二硫化钼-钡铁氧体环氧树脂电磁屏蔽涂层,其特征在于:所述步骤(3)中的硅烷偶联剂为3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷的任意一种,与缺陷型MoS2纳米花负载Ni掺杂钡铁氧体的质量比为6-10:1。

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