[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有以规定次数进行包含以下工序的循环而在衬底上形成膜的工序：

(a)经由金属制的第1配管向衬底处理装置的处理容器内的衬底供给原料气体的工序；

(b)经由在内表面连续形成有含氟层的金属制的第2配管向所述处理容器内的所述衬底供给含氧气体的工序；以及

(c)经由所述第2配管向所述处理容器内的所述衬底供给含氮及氢气体的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含氟层形成在所述第2配管的内表面以使得所述第2配管的原材料在所述第2配管内不露出。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含氟层的厚度为：使得在所述衬底上形成膜的工序中，在所述第2配管内，因所述含氧气体与所述含氮及氢气体的反应而产生的物质与所述第2配管的内表面不进行化学反应的程度的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，所述物质包含由所述含氧气体与所述含氮及氢气体的反应而产生的H₂O与所述含氮及氢气体进行反应而产生的NH₄OH。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含氟层的厚度为1nm以上且50nm以下的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，所述含氟层为金属氟化层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，在进行在所述衬底上形成膜的工序之前，还具有将在内表面连续形成有所述含氟层的金属制的所述第2配管设置于所述衬底处理装置的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，在进行在所述衬底上形成膜的工序之前，还具有将未在内表面形成所述含氟层的金属制的所述第1配管设置于所述衬底处理装置的工序。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，在进行将所述第2配管设置于所述衬底处理装置的工序之前，还具有在所述第2配管的内表面形成所述含氟层的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，所述含氟层通过使含氟气体与所述第2配管的内表面进行化学反应而形成。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，所述第2配管具有由第1材料构成的第1部和由第2材料构成的第2部，针对所述含氟层在所述第1部的内表面上的形成和所述含氟层在所述第2部的内表面上的形成，在使所述第1部与所述第2部分离的状态下各自分别地在不同的条件下进行。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，所述第1材料包含Fe、Ni及Cr，所述第2材料包含Fe、Ni、Cr及Mo，

使在所述第1部的内表面上形成所述含氟层时的所述第1部的温度低于在所述第2部的内表面上形成所述含氟层时的所述第2部的温度。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，所述第1材料包含Fe、Ni及Cr，所述第2材料包含Fe、Ni、Cr及Mo，

使在所述第1部的内表面上形成所述含氟层时的所述含氟气体的供给时间比在所述第2部的内表面上形成所述含氟层时的所述含氟气体的供给时间长。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，在将所述第2配管设置于所述衬底处理装置的状态下，将所述第1部配置于与所述第2部相比更远离所述处理容器的位置，将所述第2部配置于与所述第1部相比更接近所述处理容器的位置。

15.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，所述含氟气体包含F₂气。