[发明专利]减少读干扰影响的方法、装置、设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202010383113.X 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN113625935A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 刘璨;霍文捷;万婷;刘攀;孙承华 申请(专利权)人: 杭州海康存储科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 谢冬寒
地址: 310051 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 减少 干扰 影响 方法 装置 设备 存储 介质
【说明书】:

本申请公开了一种减少读干扰影响的方法、装置、设备及存储介质,属于计算机技术领域。所述方法包括:在目标块进行擦除判定后,达到所述目标块的擦除判定周期时,获取所述目标块的总擦除次数和在上一次擦除处理后的读次数;基于所述目标块的总擦除次数和所述在上一次擦除处理后的读次数,确定更新的擦除判定周期;将所述目标块的擦除判定周期,调整为所述更新的擦除判定周期。采用本申请可对SSD中各个块进行擦除判定的擦除判定周期进行动态调整,能够将存在Read Disturb的存储单元的个数控制在一定范围内,从而降低块中出现数据错误的可能性。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域,特别涉及一种减少读干扰影响的方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

SSD(Solid State Disk,固态硬盘)作为一种新的存储介质,被广泛的应用在各个领域。SSD内部一般是由多个NAND(一种闪存设备)构成,在NAND又分为多个Block(块),一个Block中又分为多个Page(页)。当需要读Block中的一个Page时,其他未被读的Page也会被施加电压。施加的电压可能导致未被读的Page中的存储单元吸入电荷。随着Block的读次数增加,存储单元中吸入的电荷量也会慢慢增加,导致存储单元中数据状态发生变化,在读数据时往往可能出现错误,这种错误统称为Read Disturb(读干扰)。

目前解决Read Disturb的方法是,记录Block的读次数,设置读次数阈值,在SSD使用的过程中,按照预设的检测周期获取Block的读次数,当获取的Block的读次数达到读次数阈值时,则对Block进行擦除处理,即将Block中存储的数据移到其他的Block中,然后清空Block中存储单元的电荷,从而解决Read Disturb的问题。另外,还可以通过获取SSD的参数,例如,SSD的温度,SSD中所有Block的平均读取次数对检测周期进行调整。

在实现本申请的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

由于SSD中包括多个Block,在SSD的使用过程中,每个Block的使用情况差异较大,所以按照统一的检测周期获取SSD中所有的Block的读次数,可能导致有些Block的读次数已经远超设置的读次数阈值时,才对Block进行擦除处理,此时可能已经有大量的存储单元出现了Read Disturb的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种减少读干扰影响的方法、装置、设备及存储介质,能够将存在Read Disturb的存储单元的个数控制在一定范围内,从而降低块中出现数据错误的可能性。所述技术方案如下:

一方面,提供了一种减少读干扰影响的方法,所述方法包括:

在目标块进行擦除判定后,达到所述目标块的擦除判定周期时,获取所述目标块的总擦除次数和在上一次擦除处理后的读次数;

基于所述目标块的总擦除次数和所述在上一次擦除处理后的读次数,确定更新的擦除判定周期;

将所述目标块的擦除判定周期,调整为所述更新的擦除判定周期。

可选的,所述达到所述目标块的擦除判定周期时,所述方法还包括:

获取所述目标块的位置信息和上一次擦除处理后的错误比特翻转数;

所述基于所述目标块的总擦除次数和所述在上一次擦除处理后的读次数,确定更新的擦除判定周期,包括:

基于所述目标块的总擦除次数、在上一次擦除处理后的读次数、上一次擦除处理后的错误比特翻转数和位置信息,确定更新的擦除判定周期。

可选的,所述基于所述目标块的总擦除次数、在上一次擦除处理后的读次数、上一次擦除处理后的错误比特翻转数和位置信息,确定更新的擦除判定周期,包括:

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