[发明专利]气相沉积装置

说明书

本申请公开了一种气相沉积装置，包括：反应腔、气体喷淋装置，以及清洗气体通道；所述气体喷淋装置包括反应气体通道，所述反应气体通道包括连通所述反应腔的出口；所述清洗气体通道与所述反应气体通道间隔设置，可以降低所述反应腔内残留生成物的出现机率，提高成膜的均匀性及机台的稼动率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种气相沉积装置。

背景技术

等离子体增强化学的气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor eposition，PECVD)装置在成膜制程中除会在基板上沉积出所期望的薄膜外，在腔室的内壁中也会残留一定的生成物，生成物累计至一定量后会出现剥离，导致产品出现微粒问题的可能性增加。为保证产品的质量，会在生成物累计至一定厚度后对腔室进行清洗处理，但清洗处理采用的清洗气体易使腔室内壁变得粗糙，影响成膜的均匀性。因此，需定期检修才能保证成膜质量，但这会影响机台的稼动率。

发明内容

本申请实施例提供一种气相沉积装置，可以降低反应腔内残留生成物出现的机率，提高成膜的均匀性及机台的稼动率。

本申请实施例提供一种气相沉积装置，包括：反应腔、气体喷淋装置，以及清洗气体通道；

所述气体喷淋装置包括反应气体通道，所述反应气体通道包括连通所述反应腔的出口；

所述清洗气体通道与所述反应气体通道间隔设置。

在一些实施例中，所述清洗气体通道位于所述反应气体通道的所述出口的下方。

在一些实施例中，所述反应气体通道包括间隔设置的第一反应气体通道和第二反应气体通道；所述第一反应气体通道包括连通所述反应腔的第一出口，所述第二反应气体通道包括连通所述反应腔的第二出口，所述清洗气体通道位于所述第一出口和所述第二出口的下方。

在一些实施例中，所述气相沉积装置还包括背板，所述背板位于所述气体喷淋装置上方，所述背板具有与所述反应腔外部连通且与所述反应气体通道连通的进气孔。

在一些实施例中，所述第一反应气体通道与所述反应腔外部连通，第一气体通过所述第一反应气体通道的所述第一出口进入所述反应腔；所述第二反应气体通道与所述反应腔外部连通，第二气体通过所述第二反应气体通道的所述第二出口进入所述反应腔。

在一些实施例中，所述第一气体包括氧化性气体或还原性气体的其中之一。

在一些实施例中，所述第二气体包括氧化性气体或还原性气体的其中另一。

在一些实施例中，所述氧化性气体包括氧气、一氧化二氮；所述还原性气体包括硅烷、磷化氢。

在一些实施例中，清洗气体通过所述清洗气体通道进入所述反应腔，所述清洗气体包括三氟化氮、氩气。

在一些实施例中，所述反应气体通道的尺寸为大于或等于0.2mm且小于或等于0.6mm。

本申请实施例提供的气相沉积装置，包括：反应腔、气体喷淋装置，以及清洗气体通道；所述气体喷淋装置包括反应气体通道，所述反应气体通道包括连通所述反应腔的出口；所述清洗气体通道与所述反应气体通道间隔设置，可以降低所述反应腔内残留生成物出现的机率，提高成膜的均匀性及机台的稼动率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1A～图1B为本申请的实施例提供的气相沉积装置的结构示意图；

图2A～图2B为本申请的实施例提供的气体喷淋装置的结构示意图。

具体实施方式