[发明专利]LED光源基板和照明装置在审
| 申请号: | 202010378618.7 | 申请日: | 2020-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN111916471A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
| 发明(设计)人: | 渡边寿史;增田岳志;安永博敏;京兼庸三 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 光源 照明 装置 | ||
1.一种LED光源基板,其特征在于,包括:
基板;
多个LED,其为倒装芯片型,并安装在所述基板上;
透明层,其以填充所述多个LED的方式形成在所述基板上,折射率大于1;
多个反射层,其与所述多个LED对应地形成在所述透明层上;
基板反射层,其形成在所述基板上,用于反射在所述多个反射层之间穿过并入射到所述透明层上的第一光,其中,
反射所述第一光的所述基板反射层的反射率实质上与反射第二光的所述反射层的反射率相等,所述第二光从所述基板的相反侧入射到所述反射层。
2.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述LED是裸芯片。
3.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述基板反射层由与所述反射层相同的材料构成。
4.根据权利要求3所述的LED光源基板,其特征在于,
所述基板反射层的厚度与所述反射层的厚度的比率为1以上且1.5以下。
5.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述基板反射层形成为其端面延伸到比对应于所述反射层的端面的位置更靠近所述LED的位置,
所述基板反射层的所述端面与所述LED之间的间隙宽于0.3mm。
6.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述第一光包括斜入射光,该斜入射光相对于所述基板倾斜地穿过所述多个反射层之间并入射到所述透明层上,
所述基板反射层具有斜光反射部,该斜光反射部形成在所述LED的周围用于反射所述斜入射光。
7.根据权利要求6所述的LED光源基板,其特征在于,
所述第一光还包括入射光,该入射光相对于所述基板实质上垂直地穿过所述多个反射层之间并入射到所述透明层上,
所述基板反射层还具有用于反射所述入射光的入射光反射部,
所述斜光反射部形成为比所述入射光反射部薄。
8.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述透明层包括以填充所述LED的方式形成在所述基板上的树脂层和形成在所述树脂层上的基材。
9.根据权利要求8所述的LED光源基板,其特征在于,
所述树脂层包括粘合层。
10.根据权利要求8所述的LED光源基板,其特征在于,
所述树脂层的雾度为30%以下。
11.根据权利要求8所述的LED光源基板,其特征在于,
所述树脂层的折射率大于1。
12.根据权利要求8所述的LED光源基板,其特征在于,
所述树脂层包含丙烯类材料、环氧类材料和聚氨酯类材料中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述反射层的尺寸为所述LED的尺寸的2倍以上且10倍以下。
14.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述反射层具有圆形状,
所述反射层的中心轴配置在与所述LED的中心轴对应的位置。
15.根据权利要求8所述的LED光源基板,其特征在于,
所述树脂层的厚度比所述LED的厚度厚。
16.根据权利要求1所述的LED光源基板,其特征在于,
所述透明层具有与所述LED的安装位置对应的凸形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





