[发明专利]一种纳米P-P异质结构及其制备和应用在审
| 申请号： | 202010377717.3 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111682095A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李耀刚;吴波;侯成义;王宏志;张青红 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/16;H01L35/34;H05B3/14 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;宋旭 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 及其 制备 应用 | ||
1.一种纳米P-P异质结构，其特征在于，所述异质结构由P型半导体碲纳米线和P型半导体碲化锑纳米片组成，其中异质结构以碲纳米线表面缺陷为晶核，碲化锑纳米片垂直生长于碲纳米线表面。
2.根据权利要求1所述异质结构，其特征在于，所述异质结构以包含氯化锑、二氧化碲和聚乙烯吡咯烷酮的组分，通过一步溶剂热反应获得。
3.一种纳米P-P异质结构的制备方法，包括：
将氯化锑、二氧化碲和聚乙烯吡咯烷酮溶解于溶剂中，加碱调节pH值，得到反应溶液，然后进行溶剂热反应，冷却，洗涤，即得纳米P-P异质结构。
4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述溶剂为乙二醇；加碱调节pH为：加氢氧化钠调节pH为13.4～13.8。
5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述氯化锑、二氧化碲、聚乙烯吡咯烷酮、溶剂、碱的质量比为1.0:0.5:0.3:40:0.5～1.0:2.0:1.0:70:2.0。
6.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为10000-360000。
7.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述溶剂热反应具体为：反应溶液密封于水热釜中，加热，保温，其中加热温度为140～210℃，保温时间为6～72h。
8.一种权利要求3所述方法制备的纳米P-P异质结构。
9.一种块体热电材料，其特征在于，所述热电材料由权利要求1所述纳米P-P异质结构通过SPS烧结获得。
10.一种热电纤维，其特征在于，所述热电纤维由权利要求1所述纳米P-P异质结构、碳纳米材料和/或共轭聚合物混纺获得。
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