[发明专利]光固化的方法及其设备

说明书

本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。

技术领域

本揭露部分实施例是关于一种半导体加工设备及加工半导体的方法，特别是关于一种半导体晶圆的光固化设备及光固化方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对具有更高效能和更低成本的半导体元件的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业继续对元件制造产率和可靠性施加严格要求。这些要求驱使进一步优化半导体元件制造系统的设计和架构的需求。

发明内容

本揭露部分实施例提供一种光固化设备。光固化设备包括一腔体。光固化设备也包括一晶圆座，位于腔体内。光固化设备还包括一气体导引装置，位于腔体内并配置用于提供一气流通过晶圆座上方。气体导引装置具有一第一侧面及一第二侧面。并且，气体导引装置包括：一第一排气口及一第二排气口，排列于气体导引装置的第一侧面，第一排气口的宽度小于第二排气口的宽度；以及多个抽气口，排列于气体导引装置的第二侧面。另外，光固化设备包括一气体供应来源，流体连结第一排气口及第二排气口。光固化设备还包括一气体排出装置，流体连结抽气口。

本揭露部分实施例亦提供一种光固化设备。光固化设备包括一腔体。光固化设备也包括一晶圆座，位于腔体内。光固化设备还包括一气体导引装置，位于腔体内并配置用于提供一气流通过晶圆座上方。气体导引装置具有一第一侧面及一第二侧面。并且，气体导引装置包括：多个排气口，排列于气体导引装置的第一侧面；以及多个抽气口，排列于气体导引装置的第二侧面，其中抽气口的数量大于排气口的数量。另外，光固化设备包括一气体供应来源，流体连结排气口。光固化设备还包括一气体排出装置，流体连结抽气口。

本揭露部分实施例亦提供一种光固化方法。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1显示根据本揭露部分实施例的光固化设备的示意图；

图2显示根据本揭露部分实施例的光固化设备的上视图；

图3显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的排气口的侧视图；

图4显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的抽气口的侧视图；

图5显示根据本揭露部分实施例的光固化方法的流程图；

图6显示使用本揭露部分实施例的光固化设备的流场模拟图；

图7A显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的排气口的侧视图；

图7B显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的排气口的侧视图；

图7C显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的排气口的侧视图；

图8A显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的抽气口的侧视图；

图8B显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的抽气口的侧视图；

图8C显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的抽气口的侧视图；

图8D显示根据本揭露部分实施例的气体导引装置的抽气口的侧视图；