[发明专利]像素、图像传感器及电子装置

权利要求书

1.一种像素，其特征在于，包括:

光学传感器，具有阴极与阳极，所述阳极耦接第一电压源，其中所述光学传感器用以在感测阶段下感测光信号，并在浮置扩散区产生感测信号；以及

像素电路，设置于非外延衬底，所述像素电路耦接于所述光学传感器的所述阴极与第二电压源，其中所述像素电路包括:

重置电路，耦接于所述阴极与所述浮置扩散区之间，其中在重置阶段下，所述重置电路用以重置所述浮置扩散区的所述感测信号；以及

运算放大器，具有正端、负端与输出端，其中所述正端耦接所述第二电压源，所述负端耦接所述阴极，以及所述输出端耦接所述浮置扩散区，所述运算放大器用以固定所述光学传感器的所述阴极与所述阳极间的电压差，

其中所述重置电路包含:

第一晶体管；以及

第二晶体管，

其中，所述第一晶体管的漏极耦接所述阴极与所述负端，所述第一晶体管的源极耦接所述第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的源极耦接所述输出端与所述浮置扩散区，以及

其中，所述光学传感器设置于所述像素电路的上方 。

2.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述光学传感器为薄膜光电二级管，并覆盖于所述像素电路。

3.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述光学传感器为互补金属氧化物半导体光电二极管，并覆盖于所述像素电路。

4.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述像素电路还包括：

电容，具有第一端与第二端，其中所述第一端耦接于所述光学传感器的所述阴极，所述第二端耦接所述浮置扩散区，

其中在感测阶段下，所述电容用以累积电荷以在所述浮置扩散区产生所述感测信号，其中所述电荷为响应所述光学传感器感测所述光信号而产生。

5.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述第一晶体管的闸极接收第一控制信号，以及所述第二晶体管的闸极接收第二控制信号，在所述重置阶段下，所述第一控制信号与所述第二控制信号分别使所述第一晶体管与所述第二晶体管导通，以及在所述感测阶段下，所述第一控制信号与所述第二控制信号使所述第一晶体管与所述第二晶体管不导通。

6.如权利要求5所述的像素，其特征在于，所述重置电路还包括：

第三晶体管，其中所述第三晶体管的漏极耦接所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极耦接所述第三晶体管的基极、所述第二电压源与所述正端。

7.如权利要求6所述的像素，其特征在于，所述第三晶体管的源极还耦接所述第一晶体管的基极。

8.如权利要求6所述的像素，其特征在于，所述第三晶体管的闸极接收第三控制信号，在所述重置阶段下，所述第三控制信号使所述第三晶体管不导通，以及在所述感测阶段下，所述第三控制信号使所述第三晶体管导通。

9.如权利要求6所述的像素，其特征在于，在所述重置阶段下，所述第二晶体管的导通时间长度大于所述第一晶体管的导通时间长度。

10.如权利要求9所述的像素，其特征在于，在所述重置阶段下，所述第三晶体管的不导通时间长度大于所述第二晶体管的导通时间长度。

11.如权利要求1或权利要求6所述的像素，其特征在于，所述第一电压源的电压与所述第二电压源的电压相等，且所述电压差为零。

12.如权利要求11所述的像素，其特征在于，所述正端更直接耦接所述光学传感器的所述阳极。

13.如权利要求1所述的像素，其特征在于，所述第一电压源的电压与所述第二电压源的电压不相等，且所述电压差不为零。

14.如权利要求13所述的像素，其特征在于，所述第二电压源的电压高于所述第一电压源的电压。