[发明专利]GOA电路

权利要求书

1.一种GOA电路，其特征在于，包括级联的多个GOA单元，其中，第n级GOA单元包括：上拉控制电路单元(101)、上拉电路单元(102)、下传电路单元(103)、下拉电路单元(104)、下拉维持电路单元(105)以及自举电容(106)；

其中，所述上拉控制电路单元(101)、所述上拉电路单元(102)、所述下传电路单元(103)、所述下拉电路单元(104)、所述下拉维持电路单元(105)以及自举电容(106)均电连接至第一节点Q(n)；

所述上拉控制电路单元(101)分别接入一第n-1级的下传信号ST(n-1)以及第n-1级扫描驱动信号G(n-1)，用以为所述第一节点Q(n)预充电；

所述上拉电路单元(102)接入时钟信号(CK)，用以提高第n级的扫描驱动信号G(n)的电位；

所述下传电路单元(103)输出第n级的下传信号ST(n)，用以控制第n+1级的GOA单元的上拉控制电路单元的打开或关闭；

所述下拉电路单元(104)连接第n+1级扫描驱动信号G(n+1)，用以拉低第一节点Q(n)预充电和第n级的扫描驱动信号G(n)的电位至低电压源(VSS)；

所述下拉维持电路单元(105)用以将所述第一节点Q(n)预充电和所述第n级的扫描驱动信号G(n)的电位维持在低电压源(VSS)且保持不变；

所述自举电容(106)用以提供并维持所述第一节点Q(n)预充电的电位，所述自举电容(106)包括若干并联连接的第一电容(C)，当至少一第一电容(C)无法存储电量时，将该第一电容(C)与所述第n级的GOA单元的连接线切断。

2.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，

所述自举电容(106)包括：

第一金属层；

绝缘层，设于所述第一金属层上；

第二金属层，设于所述绝缘层上。

3.如权利要求2所述GOA电路，其特征在于，

所述第一金属层与所述第二金属层的图案皆为网格状，所述第一金属层的网格节点与所述第二金属层的网格节点相对应，在每个网格点处，所述第一金属层、所述绝缘层以及所述第二金属层形成所述第一电容。

4.如权利要求2所述的GOA电路，其特征在于，

所述第一金属层与所述第二金属层的图案为竖条形状，所述第一金属层的竖条垂直所述第二金属层的竖条；

在所述第二金属层位于所述第一金属层的投影与所述第一金属层的重叠区域，所述第一金属层、所述绝缘层以及所述第二金属层形成所述第一电容。

5.如权利要求2所述的GOA电路，其特征在于，

所述第一金属层的图案为竖条形状，所述第二金属层的图案为多个方块形状；

在所述第二金属层位于所述第一金属层上的投影与所述每一竖条形状的重叠区域，所述第一金属层、所述绝缘层以及所述第二金属层形成所述第一电容。

6.如权利要求2所述的GOA电路，其特征在于，

所述第一金属层的图案为多个方块形状，所述第二金属层的图案为竖条形状；

在所述竖条形状位于所述第一金属层上的投影与所述第一金属层的重叠区域，所述第一金属层、所述绝缘层以及所述第二金属层形成所述第一电容。

7.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，

所述上拉控制电路单元(101)包括第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入所述第n-1级的下传信号ST(n-1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的源极连接所述第一节点Q(n)，所述第一薄膜晶体管(T1)的漏级接入所述第n-1级扫描驱动信号G(n-1)。

8.如权利要求1所述的GOA电路，其特征在于，

所述上拉电路单元(102)包括第二薄膜晶体管(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极连接所述第一节点Q(n)，所述第二薄膜晶体管(T2)的漏级接入所述时钟信号(CK)，所述第二薄膜晶体管(T2)的源级连接所述第n级的扫描驱动信号G(n)。