[发明专利]一种芯片封装方法在审

专利信息
申请号: 202010367738.7 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111554623A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 石磊 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/60
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 226000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 方法
【说明书】:

本申请公开了一种芯片封装方法,包括:分别将第一主芯片和第二主芯片的非信号传输区与设置有过孔的封装基板电连接,其中,所述第一主芯片和所述第二主芯片的信号传输区相邻设置,且所述信号传输区的位置与所述过孔对应;将连接芯片设置在所述过孔内,且连接芯片的功能面与所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区电连接。本申请提供的芯片封装方法,能够降低封装成本,提高封装器件的性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种芯片封装方法。

背景技术

现有的基于聚合物的2D封装技术是最基本、应用最广泛的封装形 式,技术成熟,成本也较低,但是没有第三方向的连接,且线宽较大。 近期发展起来的基于硅中介板的封装技术线宽较小,形成的封装器件的 电性能和热传导性能均表现优异,但是成本较高,且硅材料脆性较高, 导致封装器件的稳定性较低。因此,需要结合现有封装技术的优点,发展一种新的封装技术,能够降低成本,且形成的封装器件的性能优异。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种芯片封装方法,能够降低封 装成本,提高封装器件的性能。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:

提供一种芯片封装方法,包括:分别将第一主芯片和第二主芯片的 非信号传输区与设置有过孔的封装基板电连接,其中,所述第一主芯片 和所述第二主芯片的信号传输区相邻设置,且所述信号传输区的位置与 所述过孔对应;将连接芯片设置在所述过孔内,且连接芯片的功能面与 所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区电连接。

其中,所述分别将第一主芯片和第二主芯片的非信号传输区与设置 有过孔的封装基板电连接,之前,包括:在所述第一主芯片和所述第二 主芯片的功能面上的非信号传输区的焊盘位置处形成所述第一导电柱, 以及在所述第一主芯片和所述第二主芯片的功能面上的信号传输区的 焊盘位置处形成所述第二导电柱。

或者,所述分别将第一主芯片和第二主芯片的非信号传输区与设置 有过孔的封装基板电连接,之前,包括:在所述第一主芯片和所述第二 主芯片的功能面上形成图案化的再布线层,所述再布线层的不同区域分 别与所述第一主芯片和所述第二主芯片的信号传输区和非信号传输区 的焊盘电连接;在对应所述非信号传输区和所述信号传输区的所述再布 线层上分别形成第一导电柱和第二导电柱。

其中,所述形成所述第一导电柱和所述第二导电柱之后,所述分别 将第一主芯片和第二主芯片的非信号传输区与设置有过孔的封装基板 电连接之前,包括:在所述第一导电柱和所述第二导电柱远离所述第一 主芯片和所述第二主芯片的一侧表面形成第一焊料;或者,在所述封装 基板的一侧表面形成所述第一焊料。

其中,所述将连接芯片设置在所述过孔内,且连接芯片的功能面与 所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区电连接,之前,包 括:提供可移除的表面设置凹槽的载板,所述凹槽的深度等于所述第一 主芯片的非功能面与所述封装基板靠近所述第一主芯片的一侧表面的 距离,且所述凹槽可以容纳所述第一主芯片和所述第二主芯片;将所述 第一主芯片和所述第二主芯片的非功能面与所述凹槽底部接触,所述封 装基板靠近所述第一主芯片的一侧表面与所述载板接触。

其中,所述将连接芯片设置在所述过孔内,且连接芯片的功能面与 所述第一主芯片和所述第二主芯片的所述信号传输区电连接,之后,包 括:在所述连接芯片的功能面和所述第一主芯片与所述第二主芯片的功 能面之间形成第一底填胶。

其中,所述在所述连接芯片的功能面和所述第一主芯片与所述第二 主芯片的功能面之间形成第一底填胶,之后,包括:移除所述载板。

其中,所述移除所述载板之后,包括:在所述第一主芯片和所述第 二主芯片的功能面与所述封装基板靠近所述第一主芯片和所述第二主 芯片的一侧表面之间形成第二底填胶。

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