[发明专利]基于纳秒高压脉冲电源的杀菌消毒装置

权利要求书

1.一种基于纳秒高压脉冲电源的杀菌消毒装置，其特征在于，包括：

高压直流电源；

限流电阻，所述限流电阻的一端与所述高压直流电源的正极相连；

限流电感，所述电流电感的一端与所述电流电阻的另一端相连；

基于场效应晶体管MOSFET，所述MOSFET的漏极与所述限流电感的另一端相连，所述MOSFET的源极与所述高压直流电源的负极相连且接地；

MOSFET开关驱动器，所述MOSFET开关驱动器的第一端与所述MOSFET的栅极相连；

信号发生器，所述信号发生器与所述MOSFET开关驱动器的第二端相连；

缓冲吸收电路，所述缓冲吸收电路与所述MOSFET并联；

第一二极管，所述第一二极管与所述缓冲吸收电路并联，所述第一二极管的负极接地；

脉冲变压器，所述脉冲变压器与所述第一二极管并联；

储能电容器，所述储能电容器的一端与所述限流电感的另一端相连，所述储能电容器的另一端与所述第一二极管的正极相连，以在产生低压脉冲后，结合所述脉冲变压器实现高脉冲电压输出进行杀菌消毒。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述缓冲吸收电路包括：

缓冲吸收电阻；

缓冲吸收二极管，所述缓冲吸收二极管与所述缓冲吸收电阻并联，所述缓冲吸收二极管的正极与所述限流电感的另一端相连；

缓冲吸收电容，所述缓冲吸收电容的一端与所述缓冲吸收二极管的负极相连，所述缓冲吸收电容的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述高压直流电源为额定电压为1000V且额定功率为1kW的直流电源。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MOSFET开关驱动器的电压等级为1000V，且运行电压为电压等级的一半。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述脉冲变压器的电压变比0.5kV/40kV，重复频率1kHz，脉冲宽度为亚微秒。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述储能电容器为脉冲电容器。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述储能电容器为脉冲电容器，且电容大小为4μF，电容最高电压为3kV。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

第二二极管，所述第二二级管的正极与所述MOSFET的漏极相连，所述第二二级管的负极与所述MOSFET的源极相连。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述脉冲变压器原边侧的一端与所述储能电容器的另一端相连，所述原边侧的另一端接地。

10.根据权利要求1或9所述的装置，其特征在于，所述脉冲变压器副边侧的一端与负载电容的一端相连，所述负载电容的另一端与负载的一端相连，所述副边侧的另一端与所述负载的另一端均接地。