[发明专利]利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管在审
| 申请号： | 202010366327.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111554558A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 申云峰;柯炳育;申龙来;朱甫;胥广通 | 申请（专利权）人： | 莱特泰克（昆山）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H01J35/24;H01J9/18;H01J9/24;H01J9/26 |
| 代理公司： | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人： | 邵永永 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 发射 阴极 射线 | ||
1.利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，包括陶瓷外罩(105)，其特征在于，所述陶瓷外罩(105)的一侧设置有接头环(104)，所述接头环另一侧设置有铍窗支撑杆(103)，所述铍窗支撑杆(103)上设置有用于另行拼接防热装置的固定塞(1012)，所述铍窗支撑杆(103)呈对称分布，对称分布的两个所述铍窗支撑杆(103)之间设置有铍窗(101)，所述铍窗(101)内侧设置有镀金(Au)箔膜靶极(102)。
2.根据权利要求1所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述陶瓷外罩(105)中部内侧设置有金属底座(107)，所述金属底座(107)外侧设置有绝缘体底座(109)，所述绝缘体底座(109)外侧设置有集束管(108)，所述金属底座(107)上设置有金属底座电极杆(1010)，所述集束管(108)上设置有集束电极杆(1011)，所述金属底座(107)一侧设置有碳纳米管电子发射面(106)。
3.根据权利要求2所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述碳纳米管电子发射面(106)、所述金属底座(107)、所述集束管(108)、所述绝缘体底座(109)、所述金属底座电极杆(1010)、所述集束电极杆(1011)构成阴极部，其中，所述碳纳米管电子发射面(106)与金属底座(107)接合。
4.根据权利要求1所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述有铍窗(101)、所述镀金(Au)箔膜靶极(102)、所述铍窗支撑杆(103)构成阳极部，其中带镀金(Au)箔膜靶极(102)的铍窗(101)与铍窗支撑杆(103)钎焊接合。
5.根据权利要求1所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述铍窗支撑杆(103)为镍(Ni)材质，且同铍窗(101)和接头环(104)钎焊接合，所述陶瓷外罩(105)与所述接头环(104)钎焊接合，所述铍窗支撑杆(103)起支撑铍窗(101)的作用。
6.根据权利要求1所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述陶瓷外罩(105)的材料使用了矾土96％，且所述陶瓷外罩(105)表面为褶皱状，以保持绝缘裕隔距离，所述陶瓷外罩(105)接触所述接头环(104)、所述金属底座电极杆(1010)及所述集束电极杆(1011)的部位形成钼(Mo)金属化层来维持真空状态，且与所述接头环(104)及所述金属底座电极杆(1010)、所述集束电极杆(1011)的金属化层之间钎焊接合以保维持超高真空状态，所述陶瓷外罩(105)形成X射线管的整体外形，且所述陶瓷外罩(105)在高压端电极与接地的所述铍窗支撑杆(103)之间起绝缘作用。
7.根据权利要求2所述的利用碳纳米管的场致发射冷阴极软X射线管，其特征在于，所述集束电极杆(1011)连接有电源VH(501)，所述金属底座电极杆(1010)连接有电源Vc(502)。
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