[发明专利]类压电d33振动式装置及整合其的显示器在审
| 申请号: | 202010364707.6 | 申请日: | 2020-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN111510105A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
| 发明(设计)人: | 周正三 | 申请(专利权)人: | 美三科技有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;G09G3/20;G06F3/041;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 朱丽华 |
| 地址: | 中国台湾新竹市东区*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 压电 d33 振动 装置 整合 显示器 | ||
1.一种类压电d33振动式装置,其特征在于,至少包括:
多个电晶体;以及
多个接收器,电连接至该些电晶体,各该电晶体控制对应的各该接收器接收被一物体反射一第一振波所产生的一第二振波而产生一感测信号,其中各该接收器具有一第一电极、一第二电极及位于该第一电极与该第二电极之间且由半导体金属化合物形成后产生的一纳米间隙。
2.如权利要求1所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,各该接收器更作为一发射器用,而作为一收发单元,该收发单元与该些电晶体的对应的一个组成为一集成化收发器,于各该集成化收发器中,该电晶体于一第一时间点控制该收发单元发射出该第一振波以后,于一第二时间点控制该收发单元接收该第二振波。
3.如权利要求2所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括:
一基板,其中各该集成化收发器设置于该基板上,各该电晶体设置于该基板上或该基板内,各该收发单元邻近该电晶体。
4.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层。
5.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间。
6.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该第一半导体层与该第二半导体层为同一层的材料。
7.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该第一半导体层与该第二半导体层为不同层的材料。
8.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该纳米间隙的一高度小于或等于200纳米。
9.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括一驱动感测电路模组,电连接至该集成化收发器,并提供一个3.3到12伏特的驱动电压给该集成化收发器。
10.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该半导体金属化合物为一金属硅化物层。
11.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,更包括一保护层,该纳米间隙由该保护层及该第一电极所包围而成,该第二电极位于该保护层上。
12.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,该基板为一玻璃基板、一软性基板或一个形成有一绝缘层的半导体基板。
13.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,整合于一显示器之中或组合于该显示器的下方。
14.如权利要求3所述的类压电d33振动式装置,其特征在于,
该电晶体具有一闸极、一汲极、一源极以及位于该闸极、该汲极与该源极之间的一个第一半导体层;
该收发单元更具有一第二半导体层,位于该基板与该第一电极之间;以及
该类压电d33振动式装置包括多个所述的集成化收发器,该些收发单元的该些第一电极通过该些第二半导体层及该些第一半导体层而电连接在一起。
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