[发明专利]深沟槽型超级结器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010364693.8 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111370305A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 杜发瑞;冯海浪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 超级 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种深沟槽型超级结器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底表面形成外延层；
定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽；
对所述深沟槽的底部进行P型离子注入；
填充所述深沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述深沟槽的底部进行P型离子注入，包括：
向所述深沟槽的底部注入硼离子。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底表面形成外延层，包括：
在所述N型衬底表面生长N型外延层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽，包括：
在所述外延层上方形成硬掩膜层；
通过光刻工艺定义所述P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述硬掩膜层；
刻蚀后的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述外延层，形成所述深沟槽。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定义P型区图案，并根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成深沟槽，包括：
通过光刻工艺在所述外延层表面定义出所述P型区图案；
根据所述P型区图案刻蚀所述外延层，形成所述深沟槽。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充深沟槽，包括：
利用P型外延层填充所述深沟槽。
7.一种深沟槽型超级结器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底上方的外延层，所述外延层内形成有一系列交替排列的N型区和P型区；
所述P型区的底部经P型离子注入后呈水滴状。
8.根据权利要求7所述的深沟槽型超级结器件，其特征在于，所述衬底为N型，所述外延层为N型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
