[发明专利]用于处理基板的装置和方法有效
| 申请号: | 202010362326.4 | 申请日: | 2020-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN111843224B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 朴修永;权五烈;安俊建;李廷焕 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K26/362;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 车今智 |
| 地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,所述基板处理装置包括:
腔室,所述腔室配置为提供空间,在所述空间中处理基板;
支承单元,所述支承单元配置为在所述腔室内支承所述基板;
激光单元,所述激光单元配置为将激光照射到所述基板的边缘区域;
视觉单元,所述视觉单元配置为捕获所述基板的所述边缘区域以测量所述基板的偏移值;以及
调节单元,所述调节单元配置为基于所述基板的所述偏移值来调节所述激光的照射位置;
其中,所述调节单元生成与所述基板的旋转角度相对应的偏移值的轮廓,并且根据所述轮廓来调节所述激光的所述照射位置;
其中,所述调节单元包括主体和控制器,所述控制器配置为通过驱动所述主体来调节所述激光的所述照射位置,所述控制器在由所述视觉单元捕获的图像中、计算预定参考点和所述基板的端部之间的最短距离以作为所述基板的所述偏移值。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述调节单元还包括:
光反射单元,所述光反射单元设置在所述主体内部、并配置为同轴地改变所述激光的照射方向和所述视觉单元的成像方向。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述控制器通过调节所述主体的斜率来改变所述激光的所述照射位置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述控制器基于所述偏移值、和所述主体与所述基板之间的距离来调节所述主体的所述斜率。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述控制器通过改变所述主体的位置来改变所述激光的所述照射位置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,所述控制器将所述主体的位置移动与所述基板的所述偏移值相对应的距离。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述支承单元包括用于旋转所述基板的旋转头,并且
其中,所述调节单元基于所述基板的所述偏移值与所述旋转头一起同步控制。
8.一种基板处理方法,所述基板处理方法用于通过使用权利要求1所述的基板处理装置将激光照射到基板的边缘区域,其中,所述方法包括:
在旋转所述基板的情况下、捕获所述基板的所述边缘区域;
根据所述基板的所述边缘区域中的所述基板的旋转角度,来生成所述基板的偏移值的轮廓;
基于所述基板的所述偏移值的所述轮廓,来调节所述激光的照射位置;和
照射所述激光以处理所述基板。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述调节所述激光的所述照射位置包括:
通过调节所述调节单元的斜率,来改变所述激光的所述照射位置。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述生成所述基板的所述偏移值的所述轮廓包括:
在由所述视觉单元捕获的图像中,计算预定参考点与所述基板的端部之间的最短距离以作为所述基板的所述偏移值,并且
其中,所述改变所述激光的所述照射位置包括:
基于所述偏移值、和所述调节单元与所述基板之间的距离,来调节所述调节单元的所述斜率。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述调节所述激光的所述照射位置包括:
通过改变所述调节单元的位置来改变所述激光的照射位置。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述改变所述激光的所述照射位置包括:
将所述调节单元的位置移动与所述基板的所述偏移值相对应的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





