[发明专利]零部件、其形成涂层的方法及装置和等离子体反应装置在审
| 申请号： | 202010361061.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594013A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 段蛟;孙祥;陈星建 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/24 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 零部件 形成 涂层 方法 装置 等离子体 反应 | ||
1.一种用于等离子体反应装置的零部件，所述等离子体反应装置包括反应腔，所述反应腔内为等离子体环境，所述零部件暴露于等离子体环境中，其特征在于，所述零部件包括零部件本体和耐等离子体涂层，所述零部件本体具有孔结构，所述耐等离子体涂层位于所述零部件本体表面和所述孔结构的内表面。
2.如权利要求1所述的零部件，其特征在于，所述耐等离子体涂层的材料包括稀土元素的氧化物、稀土元素的氟化物或稀土元素的氟氧化物中的至少一种。
3.如权利要求2所述的零部件，其特征在于，所述稀土元素包括钇、钪、镧、铈、镨、钕、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱或镥中的至少一种。
4.如权利要求1所述的零部件，其特征在于，所述孔结构具有至少一个开口。
5.如权利要求4所述的零部件，其特征在于，所述孔结构包括通孔或者盲孔。
6.如权利要求1所述的零部件，其特征在于，所述孔结构的横截面形状包括：圆形或者多边形。
7.如权利要求1所述的零部件，其特征在于，所述孔结构的深宽比范围在1:1～100:1。
8.如权利要求1所述的零部件，其特征在于，所述孔结构的横截面的最大宽度范围在0.1～50mm。
9.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括：
反应腔，其内为等离子体环境；
如权利要求1至8任一项所述的零部件暴露于所述等离子体环境中。
10.如权利要求9所述的等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体环境包括：含氟和/或含氧的等离子体。
11.如权利要求9所述的等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置，所述零部件包括：衬套、陶瓷窗、喷嘴、屏蔽环、气体法兰或静电卡盘中的至少一个。
12.如权利要求9所述的等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，所述零部件包括：喷淋头、静电卡盘、屏蔽环或气体法兰中的至少一种。
13.一种形成耐等离子体涂层的方法，其特征在于，包括：
提供零部件本体，所述零部件本体具有孔结构；
向所述零部件本体表面引入蒸发源分子流，所述蒸发源分子流在所述零部件本体表面发生碰撞，形成耐等离子体涂层；
在所述孔结构的开口端引入气体分子，所述气体分子与所述蒸发源分子流发生碰撞，在所述孔结构的内表面形成所述耐等离子体涂层。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述气体分子为惰性气体、氧气或氮气中的至少一种。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述气体分子的输送方式为间歇式或者脉冲式向所述孔结构的开口端输送气体分子。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对零部件本体进行加热处理。
17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对所述气体分子进行活化处理。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述活化处理包括等离子体增强活化处理或离子增强活化处理。
19.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沉积形成耐等离子体涂层的方法为物理气相沉积。
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