[发明专利]具有侧面反射层的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板；

半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；

欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；

第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；

侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及

保护层，布置于所述侧面反射层上，

粗糙度缓冲层，布置于所述基板与所述侧面反射层之间，

其中，所述粗糙度缓冲层从所述基板的侧面向上表面延伸并覆盖所述基板的上表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述保护层包括绝缘层或导电型氧化物层。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述保护层为树脂层。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述树脂层为白色阻挡层。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述侧面反射层向所述基板的上表面延长而覆盖所述基板的上表面的一部分，

所述保护层延长而覆盖所述基板上表面上的侧面反射层。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

粗糙面，形成于所述基板上表面，

位于所述基板上表面上的侧面反射层位于所述基板的平坦的面上。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述基板包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，

所述倾斜的侧面相对于所述垂直的侧面更靠近或更远离所述基板的上表面。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，

所述侧面反射层至少覆盖所述垂直的侧面。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，

包括布置于所述第一导电型半导体层的一部分区域下方的台面，

所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，

所述侧面反射层从所述台面沿横向隔开。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，

所述侧面反射层与所述保护层的下部端部相互对齐。

11.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，并包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层下方，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层下方，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，

其中，所述第一凸起焊盘与第二凸起焊盘布置于所述上部绝缘层下方，通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层及所述第二焊盘金属层。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，

所述台面包括贯通孔，所述贯通孔贯通第二导电型半导体层及活性层而使第一导电型半导体层暴露，

所述第一焊盘金属层电连接于通过所述贯通孔暴露的第一导电型半导体层。