[发明专利]可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法

权利要求书

1.一种可测试的微器件排列结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；

位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；

其中，一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。

2.根据权利要求1所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，还包括：平坦化层和阻挡层；

所述平坦化层位于所述衬底表面，且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；

所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上，且暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极。

5.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，

呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第一微LED芯片和第二微LED芯片；

同一列中，所述第一微LED芯片的第一电极和位于其下方的第二微LED芯片的第一电极连接同一扩展电极；

所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。

6.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，

同一行中，每个所述微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接三个微LED芯片的电极；

呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第三微LED芯片、第四微LED芯片和第五微LED芯片；

其中，第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；

第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极；

第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；

第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，一个扩展电极连接四个微LED芯片的电极；

呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第六微LED芯片和第七微LED芯片；

其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第i-1列的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极；

第i列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极，与第i+1列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。

9.根据权利要求2所述的可测试的微器件排列结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为光刻胶、二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺。