[发明专利]硅棒切割工艺

权利要求书

1.硅棒切割工艺，所述硅棒为单晶硅圆棒；其特征在于，包括如下步骤：

对硅棒开方，切割出与硅棒同向延伸的：中心硅块和四个边皮料；中心硅块的横截面为长方形；硅棒的长度大于中心硅块横截面的宽边长度；中心硅块包括与硅棒同向延伸的四个边线，该四个边线与硅棒的生长棱线错开；四个边皮料包括：由中心硅块横截面长度方向两侧切割出的一对第一边皮料，以及由中心硅块横截面宽度方向两侧切割出的一对第二边皮料；

将第一边皮料切割出与其同向延伸的：第一小硅块；第一小硅块的横截面为长方形；第一小硅块横截面的长边长度为中心硅块横截面宽边长度的二分之一；

将第二边皮料切割出与其同向延伸的：第二小硅块和第三小硅块；第二小硅块、第三小硅块的横截面都为长方形；第二小硅块横截面的长边长度与中心硅块横截面宽边长度相同；第三小硅块横截面的长边长度为中心硅块横截面宽边长度的二分之一；

对中心硅块切片，切割出第一硅片，切片方向与中心硅块的延伸方向平行，且切片方向与中心硅块横截面的宽边平行，所得第一硅片的宽度与中心硅块横截面宽边长度相同；

对第一小硅块切片，切割出第二硅片，切片方向与第一小硅块的延伸方向平行，且切片方向与第一小硅块横截面的长边平行，所得第二硅片的宽度为中心硅块横截面宽边长度的二分之一；

对第二小硅块切片，切割出第三硅片，切片方向与第二小硅块的延伸方向平行，且切片方向与第二小硅块横截面的长边平行，所得第三硅片的宽度与中心硅块横截面宽边长度相同；

对第三小硅块切片，切割出第四硅片，切片方向与第三小硅块的延伸方向平行，且切片方向与第三小硅块横截面的长边平行，所得第四硅片的宽度为中心硅块横截面宽边长度的二分之一；

所述第一硅片、第二硅片、第三硅片、第四硅片的长度相同；

所述第一硅片、第二硅片、第三硅片、第四硅片都为单晶硅片。

2.根据权利要求1所述的硅棒切割工艺，其特征在于，所述第一硅片、第二硅片、第三硅片、第四硅片的长度都为210mm。

3.根据权利要求2所述的硅棒切割工艺，其特征在于，所述第一硅片和第三硅片的宽度都为140mm；第二硅片和第四硅片的宽度都为70mm。

4.根据权利要求3所述的硅棒切割工艺，其特征在于，所述硅棒的直径为232mm。