[发明专利]一种p型双面电池及其制备方法

权利要求书

1.一种p型双面电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取一种p型硅片，对所述硅片进行表面结构化处理，以在硅片表面形成特定形貌；

在所述硅片背面局部覆盖硼掺杂剂；

对背面覆盖有硼掺杂剂的硅片进行高温推进，在所述硅片背面形成局部p型重掺杂区，所述局部p型重掺杂区硼元素表面浓度为7E19-1E22cm^-3；

去除高温推进过程中硅片表面生成的硼硅玻璃；

采用碱性制绒液对去除硼硅玻璃后的硅片进行制绒，刻蚀掉硅片表面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域因高温推进过程中硼掺杂剂中硼元素挥发形成的轻扩散层，并所述晶硅区域表面形成绒面结构；在此过程中，所述局部p型重掺杂区仍保留原有的表面形貌，且高度高于硅片背面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域的高度；

在硅片正面制作n型扩散面，形成n型发射结，同时硅片表面生成磷硅玻璃；

采用碱抛光液对硅片背面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域进行抛光，同时去除在n型扩散面制作过程中在硅片背面和边沿形成的n型绕扩层；

完成背面抛光后，在所述硅片正面制作钝化减反射层，在背面制作钝化层；

在所述硅片正、背面制作金属电极，所述背面金属电极与局部p型重掺杂区相对应。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，选用丝网印刷或打印方式在硅片背面覆盖硼掺杂剂，所述硼掺杂剂包含但不限于含硼浆料、硼墨、掺硼硅粉。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温推进工艺方案为：推进温度为750-1100℃，时间为30-120min，氮气流量为3000-20000sccm，氧气流量为0-20000sccm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述局部p型重掺杂区高度高于硅片背面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域0.5-2um。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面结构化处理方式包括制绒和抛光；所述金属电极的制作方式包括丝网印刷、电镀或物理气相沉积；所述金属电极制作方式为电镀或物理气相沉积时，所述表面结构化处理采用抛光方式，从而在局部p型重掺杂区形成抛光结构；所述金属电极制作方式为丝网印刷时，所述表面结构化处理采用制绒方式，从而在局部p型重掺杂区形成绒面结构。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱性制绒液为浓度为2-5%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液，制绒温度为50-80℃，制绒时间为300-600s。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过炉管式磷扩散、磷离子注入或磷源旋涂方式在硅片正面制作n型掺杂结；所述n型掺杂结包括均匀掺杂的发射结和选择性发射结。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用碱抛光液对硅片背面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域进行抛光，同时去除在n型发射结制备过程中绕掺杂到硅片背面和边沿的n型掺杂层，具体包括：先采用氢氟酸水上漂方式去除硅片背面的磷硅玻璃，在此过程中保留硅片正面的磷硅玻璃，然后使用碱抛光液对硅片背面未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域进行抛光；所述水上漂方式采用的氢氟酸浓度为3-10%，工艺时间20-150s；所述碱抛光液使用浓度为3-15%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液，溶液温度50-80℃，时间30-600s；抛光后，再通过氢氟酸去除硅片正面的磷硅玻璃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在碱抛光之后，制作硅片背面钝化层之前，在硅片正面生长一层氧化层，所述氧化层厚度为1-10nm。

10.一种p型双面电池，其特征在于，采用如权利要求1至9任意一项所述的p型双面电池制备方法制备，包括p型硅片，位于p型硅片正面的n型发射结、正面钝化减反层和正面金属电极，位于p型硅片背面的局部p型重掺杂区、背面钝化层和背面金属电极，所述局部p型重掺杂区与背面金属电极的位置相对应；所述局部p型重掺杂区的方块电阻为20-50Ω/□。