[发明专利]一种基于超快激光重熔的陶瓷纳米晶化方法有效
| 申请号: | 202010358453.7 | 申请日: | 2020-04-29 | 
| 公开(公告)号: | CN111393182B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 | 
| 发明(设计)人: | 李晓鹏;支新涛;冯靖;彭勇;王克鸿;周琦;王大森;袁松梅 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 | 
| 主分类号: | C04B41/00 | 分类号: | C04B41/00;C03B32/02 | 
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 赵毅 | 
| 地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 激光 陶瓷 纳米 方法 | ||
1.一种基于超快激光重熔的陶瓷纳米晶化方法,其特征在于,该方法为对陶瓷表面清洁后进行预热,超快激光辐射过程中,在第二个脉冲到达之前,热量迅速扩散,熔融的局部晶粒在原有杂质或晶核的作用下,迅速结晶实现陶瓷表面纳米晶化;
步骤具体为:
步骤1,依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洁陶瓷表面,之后吹干;
步骤2,把干燥后的陶瓷放置在预热系统上,使得待处理的表面正对激光;
步骤3,绘制焦点移动轨迹图形,并导入到激光器控制系统;
步骤4,打开预热系统,预热到指定温度;
步骤5,调节激光参数,使焦点按照已绘制的轨迹图形进行移动,实现对待处理区的纳米晶化处理;采用的激光参数包括:波长0.5μm~2μm,脉宽10ps~300fs,功率2W~40W,频率0.2MHz~1MHz,离焦量-0.5 mm -3mm,扫描速度1mm/s~50mm/s;
所采用的轨迹图形包括S形轨迹、平行轨迹;轨迹图形应满足光斑重叠率为50%~90%,临近轨迹的间距是光斑直径的0.1倍~0.6倍。
2.根据权利要求1所述的基于超快激光重熔的陶瓷纳米晶化方法,其特征在于,所述的陶瓷包括氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷的结构陶瓷;钛酸钡陶瓷或二氧化钛陶瓷的介电陶瓷;铝酸镁陶瓷或氧化镁陶瓷的透明陶瓷;氧化钒陶瓷或氧化锌陶瓷的半导体陶瓷。
3.根据权利要求1所述的基于超快激光重熔的陶瓷纳米晶化方法,其特征在于,预热是在预热系统中进行的,预热系统采用电阻丝加热,加热平台与超快激光工作台采用石棉隔热,加热平台与工件接触处采用石墨板,以增强陶瓷工件的受热均匀性。
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